國際半導體巨頭紛紛擴產,半導體的春天來了嗎?

2025-01-10 04:10:18 字數 2862 閱讀 1837

1樓:帳號已登出

是的,半導體的春天來了。因為國際上的半導體巨頭都紛紛擴產,而且國際上半導體巨頭的實力是非常強大的,這意味著半導體將會得到像雨後春筍般的快速發展。

2樓:豆豆的飼養員

當然是的,因為現在的市場對於半導體的需求量是非常大的,而且市場缺口也是非常大的。

3樓:小自信

是,這個行業非常的盛行,營業額也非常高,利潤也非常的可觀,人們投資它可以獲得很多錢。

中國半導體前景堪憂

4樓:惠企百科

1.功率分立器件產量和產值持續上公升。

功率半導體分立器件是指額定電流不小於1a或額定功率不小於1w的半導體分立器件。2015-2020年,我國功率半導體分立器件產量和產值呈持續上公升趨勢。2020年,我國功率半導體分立器件產量4885億,較2019年增長8%。

2020年,我國功率半導體分立器件產值達到億元,較2019年增長3%。

產品優勢突出,需求量大。

功率半導體分立器件可以進一步分為三類:功率二極體、功率電晶體、功率閘流體,其中位元、gtr、mosfet、igbt都屬於功率電晶體範疇,而scr、g to、igct屬於功率閘流體範疇。在功率電晶體中,mosfet和igbt屬於全控分立器件。

根據不同的應用特點,mosfet還包括平面功率mosfet、溝槽功率mosfet、超結功率mosfet和遮蔽柵功率mosfet。

mosfet在分立功率半導體器件中排名第一,佔2019年市場規模的,其次是二極體、其他三極體(包括igbt)和閘流體,市場份額分別為.0%和。

mosfet具有開關速度快、輸入阻抗高、熱穩定性好、所需驅動功率低、驅動電路簡單、工作頻率高、無二次擊穿問題等優點。該功率二極體結構和原理簡單,工作可靠。基於產品本身的特點和優勢,功率分立器件市場中,mosfet和二極體佔據了近70%的市場規模。

基於mosfet下游應用的快速發展,mosfet銷售額的市場規模從2015年的37億美元增長到2019年的53億美元,年複合增長率約為。

中國半導體還有機會嗎

5樓:乾萊資訊諮詢

有機會。

1、中美5g摩擦導致了全球科技產業鏈一系列連鎖反應,首當其衝的就是執行了半個世紀的晶元產業鏈出現了動盪,全球鬧起了「晶元荒」。因為美國針對華為的一系列打壓措施,最終的目的不僅僅是為了搞垮華為這一家民營企業,而是想要保護被美國壟斷的晶元產業鏈。

2、美國製裁華為的真實目的,美國自己又沒有能拿得出手的通訊裝置製造商,還不遺餘力地在全球推行排除中國企業的「5g潔淨網路」計劃,最終讓愛立信和諾基亞兩大通訊巨頭撿了大便宜,賺得盆滿缽滿。

3、資本逐利,要分析原因就得找到動機,美國對華為的首次制裁是在219年,華為不能使用美國的eda和gms技術,gms針對的是手機作業系統,eda針對的是華為的晶元,一直都知道華為有自己的晶元公司,但很多人不知道,在美國打壓之前,華為的晶元公司已經強大到讓美國有危機感了。

4、美國在全球晶元設計領域擁有68%的市場佔有率,晶元設計是晶元三個環節利潤最高的環節,晶元代工和封裝都需要大量勞動力,是賺辛苦錢的環節,晶元設計是技術活,只要掌握了晶元核心技術,就是躺在壟斷頂端賺錢。

全球晶元短缺會是半導體行業的春天?亦或是大洗牌

6樓:新科技

受到新冠疫情在全球範圍內不斷擴散的影響,隔離所帶來的無聊狀態讓更多的人對電子產品需求激增,加上智慧型手機行業的激烈競爭,使得全球晶元短缺已經成了乙個老生常談的話題。

由於 汽車 行業對於後疫情時期帶來的經濟**估計不足,導致在這場晶元戰爭中首當其衝,許多 汽車 製造商,包括福特、通用、大眾這樣的老牌 汽車 製造商也不得不叫停了一些地區的生產製造工廠。而現在這樣的情況已經在全球更多產業中蔓延開來,其中家電行業也正在開始經歷晶元短缺帶來的損失。

作為全球最大的晶元製造商,三星電子的兩大零部件**商表示三星電子從4月就開始削減一些智慧型手機零部件的訂單,產能被優先分配到高利潤產品。三星電子的負責電視部門的副社長韓鍾熙表示,全球半數以上的電視製造商面臨晶元短缺問題,這樣下去很多企業根本無法再製造電視。

就在這樣緊張的**下,很多人看好半導體消費行業市場**,認為在接下來很長一段時間都會是半導體消費行業的春天。這並沒有問題,在短時間內看來半導體的緊缺確實會帶動一波**,但是這同樣也使更大範圍的消費品電子製造商需要忍受原材料漲價所帶來的經營成本問題,而這最終都會加諸在終端消費者身上。而且目前沒有任何資料顯示這場晶元短缺問題會在什麼時候結束,許多廠商都開始在囤積晶元,一旦恢復產能,過量的囤積勢必會對市場產生不良影響。

因此從長期來看,不管是對於金融市場還是行業領域,亦或是投資者和消費者,晶元短缺都不會是乙個希望長期持續的狀況。

半導體的發展史

7樓:信必鑫服務平臺

年,英國科學家電子學之父法拉第最先發現硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同於一般金屬,一般情況下,金屬的電阻隨溫度公升高而增加,但法拉第發現硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上公升而降低。這是半導體現象的首次發現。

年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結,在光照下會產生乙個電壓,這就是後來人們熟知的光生伏特效應,這是被發現的半導體的第二個運態豎特性。

年,英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應,這是半導體的第三種特性。

年德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關,即它的導電有方向性,在它兩端加乙個正向電壓,它是導通的;如果把電壓極性反過來,它就不導電,這就是半導體的整流效應,也是半導體所特有的第四種特性。同年,舒斯特又發現了銅與氧化銅的整流效應。

5、半導體的這四個特性,雖在1880年以前就先後被發現了,但半導體這個名詞大閉戚概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結出半導體的這四個特性一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。

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