半導體物理中輕空穴重空穴的物理本質是什麼,我不

2021-05-26 09:49:43 字數 1992 閱讀 5420

1樓:

本徵載流子就是本徵半導體中的載流子,即電子和空穴,即不是由摻雜所產生出來內的載流子。也就是說,

容本徵載流子是由熱激發——本徵激發所產生出來的,即是價電子從價帶躍遷到導帶而產生出來的;它們是成對產生的,所以電子和空穴的濃度始終相等。   本徵半導體,從物理本質上來說,也就是兩種載流子數量相等、都對導電起同樣大小的半導體。因此,未摻雜的半導體是本徵半導體,但是摻有雜質的半導體在一定條件下也可能成為本徵半導體(只要兩種載流子的濃度相等)。

  對於摻有雜質的n型或p型半導體,其中的多數載流子主要就是由雜質電離所提供,而其中的少數載流子則是由本徵激發所產生的。因此,在雜質全電離情況下,多數載流子濃度基本上與溫度無關,但少數載流子則隨著溫度將指數式增大。

2樓:會飛的貓屁股

空穴的有bai效質量是一個正du常數mp* ,它與價帶頂附近zhi空態dao

的電子有效質量mn*大小相版等,符權

號相反,即mp*=-mn*

按照半導體理論,計算出的孔穴有效質量 如取負號,則得到有效質量較大的空穴,稱為重空穴。 如取正號,則得到有效質量較小的空穴,稱為輕空穴。

phm 重空穴有效質量

plm 輕空穴有效質量

半導體物理中,引入空穴的意義

3樓:匿名使用者

空穴是一種虛擬粒bai子,實際上一個空穴du的導電就zhi代表了許多價電子dao運動所產生的導電;版空穴的引入正權是為了使問題簡化,即把許多價電子的運動採用一個空穴的運動來代替。

導帶電子是載流子,價帶電子——價電子不一定都是載流子;只有不滿帶中的許多價電子才能運動、並導電,這時採用少數空穴來代替之,顯然就簡單得多。

所以,一般就認為導帶電子和價帶空穴都是載流子,而價電子就不能簡單地認為是載流子。

參見中的有關說明。

4樓:匿名使用者

樓主說得對,導電行為是由電子的定向

運動引起的。半導體中不滿帶中有許多能級空位,在外回電場答

的作用下,這些空位會被附近的電子不斷填補,形成電流。因為這些空位數相對不滿帶中的電子數很少,便於分析,所以把它們看成是帶正電的空穴,這樣分析出的結果是等效的。這就好比把「許許多多的車通過某幾座橋樑」看成是「某幾座橋樑通過許許多多的車」 ,實際上都是由這些通過橋樑的車形成的車流.

5樓:

你理bai解錯了,半導體器件du中,不是一切的一切都是zhi電子的行為。

在p型半

dao導體中,專電行為是屬由空穴引導的,因為空穴是多數載流子。

在n型半導體中,電行為才是由電子引導的,因為電子是多數載流子,而空穴作為少數載流子,其壽命,也就是少子壽命是決定半導體器件效能的關鍵引數之一。

因此無論是p型還是n型半導體,空穴都扮演著至關重要的角色。

希望能幫到你!

怎麼理解半導體物理中電子與空穴的簡併度g

6樓:

以下是個人觀點:p n 不敢理解可以換成別的 多子和少子是相對而言的例如鈉離子:na+ 原子比電子多1 所以空穴為多子

半導體物理中證明空穴電導有效質量

7樓:貝殼愛因斯坦

σ = e^2*τ(ph+pl)/mcp* = e^2*τ(ph)/mph*+e^2*τ(pl)/mpl* ---(1)

ph = a(kt)3/2(mph*)3/2, pl = a(kt)3/2(mpl*)3/2 ---(2)

將(2)帶入(1)式得:

1/mcp* = (mph*1/2+mpl*1/2)/(mph*3/2+mpl*3/2) ---(3)

由(3)得:

mcp* = (mph*3/2+mpl*3/2)/(mph*1/2+mpl*1/2)

8樓:潔之殤殤

你確定你的題目是正確的?

請問半導體物理中輕空穴重空穴的物理本質是什麼,我不需要所謂的公式推導,只求直觀物理情景

si和ge價帶頂位於布里淵區中心k 0處,並且價帶是簡併的 若一個能級與一種以上的狀態相對應版,則權稱之為簡併能級,屬於同一能級的不同狀態的數目稱為該能級的簡併度 由於能帶簡併,si和ge分別具有有效質量不同的兩種空穴,有效質量較大的 mp h稱為重空穴,有效質量較小的 mp l稱為輕空穴。按照半導...

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空穴有運動啊,雖然是等效出來的運動,要知道空穴電流是在價帶中的電流嘛 半導體的空穴有效質量一般要大於電子有效質量,為什麼?因為一個空穴的運動是代表了價帶中一大群價電子的相繼運動,空穴不像導電電子那麼自由,所以空穴的有效質量較大,相應的遷移率也就較低。因為空穴的遷移率比電子小。半導體中的載流子為什麼通...

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