1樓：古城
可以這麼認為,研究二極體時分為理想模型,分壓模型,折線模型.理想模型是正向導通時無電阻(誤差較大).分壓模型是二極體正向導通時一直分0.
7(矽)伏的壓,還有最精確的折線模型,認為正向導通時二極體電阻恆定(實際還是有一點變化的).
哪一種二極體單向導通電阻最小？或沒有電阻？
2樓：匿名使用者
二極體導通時其壓降是一個重要引數，一般不講導通電阻，除非是可控矽或場效電晶體。
然而壓降小，導通電阻也小，也不易發熱。
那麼那些二極體壓降小呢？下面作一下分析:
普通矽整流二極體壓降大，約0.7到0.8v，優點是耐壓高，可以幾百伏到一千伏以上;
肖特基二極體壓降較小，一般0.45v到0.6v之間，但缺點耐壓不高，一般100v左右，現己做到200到250v左右;
壓降最低的是鍺材料做的二極體，一般可達0.3v，但耐壓更低，一般在100v以下，電流也不大;
如過想得到電流幾a，耐壓幾十v，壓降0.3v的二極體有一個辦法，用3ad30、3ad18等老式的鍺大功率管c、b極代替，c是二極體正極，b是負。
二極體正向電壓導通，正向電流已知，求直流電阻和交流電阻
3樓：無畏無知者
1）直流電阻：rd=ud/id；ud---靜態工作點電壓（=0.7v），id----靜態工作點電流；
1）交流電阻：rd=ut/id；ut---常溫下約=26mv，id----靜態工作點電流；
4樓：王中哲
就是v-a特性上求啊
半導體二極體的正向交流電阻與正向直流電阻二者大小關係是？
5樓：匿名使用者
直流電阻是二極體工作時，二極體兩端的電壓和流過它的電流之比。rd=ud/id.
交流電阻是二極體工作時，二極體兩端的電壓變化量和流過它的電流變化量之比。rd=δud/δid.
「正向交流電阻」小於「正向直流電阻」。因為二極體的正向伏安特性是指數式上升的曲線，曲線上某一點的切線的斜率之倒數就是交流電阻，而該點與座標原點的連線的斜率之倒數就是直流電阻。
6樓：無畏無知者
簡單說，其交流等效電阻小於等於其直流等效電阻，
因pn結電容的存在，隨著交流電訊號頻率的提高，其交流等效電阻還在下降。
7樓：匿名使用者
半導體二極體只有正向降壓，沒有電阻吧？
二極體在正向導通時直流電阻隨工作電流增大而怎麼變化
8樓：王中哲
就pn結而言，結阻抗是電流越大，阻抗越小，但p、n的體電阻上的壓降的增加大於其減少，所以實際上我們測量到的電壓還是略有增大。
一般而言，半導體二極體在同一工作點處的直流電阻與交流電阻是不相等的。 這題是對的還是錯的 10
9樓：pn結
對的啊！但是你問題提得不太正確。直流電阻和交流電阻是不是對地相對電阻？
它們是有參考點的。還有是你是說單一一個二極體，還是在具體電路中，具體電路中差別很大 ，要他們相等還需要周密設計了。所以絕大部分不會相等
10樓：匿名使用者
對的。直流電阻和交流電阻是不是對地相對電阻？它們是有參考點的。
還有是你是說單一一個二極體，還是在具體電路中，具體電路中差別很大 ，要他們相等還需要周密設計了。所以絕大部分不會相等
半導體二極體加正向電壓時，電流和電阻分別有什麼變化
11樓：天下無敵小博士
單純從內部電子結構考慮，基區會變寬，正向導通電壓會變大，電阻會變大。外加電壓不變時，電流有變小的趨勢。
但是，絕大部分的二級管在測試或使用時，外加的正向電壓，要比導通電壓高得多。此時的正向導通電流很大，導致二極體pn節發熱。由於溫度原因使電阻變小，電流會持續增大。
二極體的正向電阻和反向電阻如何變化
12樓：神級人氏
可以近似算出等效電阻，由datasheet可知二極體的典型正向壓降及典型反向漏電流，則正向等效電阻約為：應用時的電流/正向壓降；反向等效電阻約為：反向電壓/漏電流。
由計算可知，二極體正向電阻很小（幾十歐或以下），而反向電阻很大（一般都在幾百k歐以上），這兩個阻值是動態變化的，與應用環境有關。
二極體又稱晶體二極體,簡稱二極體(diode)，另外，還有早期的真空電子二極體；它是一種具有單向傳導電流的電子器件。在半導體二極體內部有一個pn結兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的轉導性。一般來講，晶體二極體是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結介面。
在其介面的兩側形成空間電荷層，構成自建電場。當外加電壓等於零時，由於p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態，這也是常態下的二極體特性。
13樓：依棠傍海
在通入正向電流時正向電阻極小可以忽略不計，而電流反向時電阻極大電路無法連通。。
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