1樓：匿名使用者
會。單向導電性的喪失就可以稱為pn結損壞。和反向擊穿道理一樣，過高功率引起結溫超出承受值，晶格形式被破壞，單向導電性喪失，pn結損壞
2樓：老廉的智慧化技術
不會,只有反向電壓才會導致pn結永久性損壞
3樓：匿名使用者
當然不會！電壓方向對，就永久不會損壞。你電壓的方向加對了，但最好不要超過一定的限度。pn結的原理，隨著你的載入電壓，電流會升高，但是大到一定程度，電流曲線曲率就不會有太大變化。
4樓：匿名使用者
二極體的引數應該是電流和反向電壓，在它的允許的電流範圍內，正向導通的二極體兩端的電壓為0.7v,所以正向電壓在正常的電流下不會損壞pn結。
5樓：鄲米
vf = 正向電壓 = 正向壓降
二極體 vf 0.4v-1.5v 也就是說通以1.5v以下電壓就可以導通了
因此電壓也很難加很大 因1.5v 以下就已經導通了 正向電壓就難再加上去了
但是若是加大正向電流if 超過晶片的尺寸所能承受的電流 就可能熱損毀
一般都是反向電壓 vr 太高 才會燒燬p/n結面
6樓：匿名使用者
你可以看看正向特性曲線，一般的矽二極體正向電壓達到1v時，電流已經很大了，基本達到極限了。
試想看，電壓再大些，電流會增大多少？是不是該燒掉了？
7樓：
還有電流哦 電流大了 你那二極體不冒煙才怪
二極體兩邊加正向電壓，為什麼這個電壓不能過大？是因為內電場嗎？
8樓：匿名使用者
不是。現在假定
bai有一個du電路，一個電源zhi，正向串聯一個二極dao管，一個定值電阻，形成標版準迴路。
1、正向權電壓越大，二極體的內阻一定（這個是假定，實際上隨著溫度上升，這個電阻會減小，但減小的幅度遠不如電流上升的幅度），電流越大；
2、電流越大，產生的熱量越多，導致溫度上升。
遏止電壓是光電效應實驗裡面的一個概念，就是當反向電壓為-vg的時候能夠阻止光電子到達陽極，也就是沒有光電流的產生，這個電壓就是遏止電壓。
光電效應：光電效應（photoelectriceffect）是物理學中一個重要而神奇的現象，在光的照射下，某些物質內部的電子會被光子激發出來而形成電流，即光生電。
9樓：匿名使用者
不是復。現在假定有一個制電路，一個電源，正向bai串聯一個二極體，一個定du值電阻，形成zhi標準迴路。
1、正dao向電壓越大，二極體的內阻一定（這個是假定，實際上隨著溫度上升，這個電阻會減小，但減小的幅度遠不如電流上升的幅度），電流越大；
2、電流越大，產生的熱量越多，導致溫度上升；
3、根據二極體的溫升特性，溫度越高，正向導通壓降越小，而電源電壓一定，這樣就意味著二極體可以獲得更大的電流。然後重複1。
因此，你可以判斷，正向電壓過大後，二極體會最終因為溫度過高、電流過大而燒燬。
10樓：哪壺開了
是和二du
極管內部電場有關。當正zhi向電壓dao比較小時。外部電壓不足以克服內部電場對內載流子擴散運
容動造成的阻力，電流較小，當外加電壓超過v0（死區電壓，矽管為0.5v)時,內部電場被大大削弱，正向電流隨電壓的增加成指數增加。
也可這麼說，矽二極體外加電壓小於0.5v時，動態電阻較大；大於0.5v時，動態電阻急劇減小。所謂動態電阻，是指電壓的增量除以電流的增量。
為什麼在二極體上加正向電壓時電阻很小，加反向電壓時電阻很大？
11樓：123劍
首先我們需要了解二極體。
二極體，電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極體則用來當作電子式的可調電容器。大部分二極體所具備的電流方向性我們通常稱之為「整流」功能。
二極體最普遍的功能就是隻允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。因此，二極體可以想成電子版的逆止閥。
早期的真空電子二極體；它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。在半導體二極體內部有一個pn結兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導性。一般來講，晶體二極體是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結介面。
在其介面的兩側形成空間電荷層，構成自建電場。當外加電壓等於零時，由於p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態，這也是常態下的二極體特性。
當外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服pn結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區。這個不能使二極體導通的正向電壓稱為死區電壓。當正向電壓大於死區電壓以後，pn結內電場被克服，二極體正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。
在正常使用的電流範圍內，導通時二極體的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極體的正向電壓。當二極體兩端的正向電壓超過一定數值vth，內電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極體正向導通。所以可以認為這個時候二極體的電阻很小。
外加反向電壓不超過一定範圍時，通過二極體的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由於反向電流很小，二極體處於截止狀態。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流，二極體的反向飽和電流受溫度影響很大。
一般矽管的反向電流比鍺管小得多，小功率矽管的反向飽和電流在na數量級，小功率鍺管在μa數量級。溫度升高時，半導體受熱激發，少數載流子數目增加，反向飽和電流也隨之增加。所以可以認為這個時候二極體電阻很大。
一般來說，在高中階段我們認為反向的電阻無窮大，不會通電。但其實，如果外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極體反向擊穿電壓。
電擊穿時二極體失去單向導電性。如果二極體沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被永久破壞，在撤除外加電壓後，其效能仍可恢復，否則二極體就損壞了。因而使用時應避免二極體外加的反向電壓過高。
12樓：匿名使用者
二極體具有單向導電性，所以正向，可以認為是小電阻或者說是無電阻，反向是超大電阻。。
原理是因為二極體是有兩種性質不同的半導體，拼結而成的，怎麼說呢，一種半導體，含有很多允許自由電子通過的空穴，但自己卻含有很少的自由電子叫p型半導體，而另一種則是還有較多自由電子，但卻因此缺乏容納電子的空穴叫n型半導體。。。如果正向加電壓，電子從n向p移動，這樣因為n有大量自由電子，p有大量允許電子通過的空穴空穴，這樣電子很順利的就過去了，電阻小，而反接就不一樣了，由於流動的不順暢，在拼接處，p的電子堆積，而n的拼接處電子流失，導致產生了一個和電源相反的電動勢，平衡後就不會在產生電流了，不過電壓足夠大，這個平衡會被擊穿的。。。。
13樓：匿名使用者
這是pn結的單向導電性決定的。q 二極體是由兩種性質不同的半導體（p型和n型），結合而成的。 p型半導體，含有很多帶有正電的空穴，但自己卻含有很少的自由電子，而n型半導體則是含有較多自由電子。
當不加電壓時，pn交介面將形成一個pn結。由於濃度差異，電子會從n區向p區擴散，空穴會向n區擴散，並使交介面附近產生一個無電荷區，稱為pn結。如果pn結加正向電壓，pn結阻擋層變薄，大量電荷將通過pn結，pn結導電。
如果pn結加反向電壓，pn結阻擋層變厚，電荷將無法通過pn結，pn結不導電
加正向電壓時，二極體摻雜濃度會變大嗎？
14樓：搶購轉讓網
二極體摻雜濃度不會隨著正向電壓的變化而變化。只是正向電壓越大，pn結間空間耗盡層會被壓縮得越來越窄。 等電壓達到一定值後，空間耗盡層基本消失。
故此時二極體可以理想地看成一根導線。當然實際上還是有約0.7v的正向壓降。
15樓：原子
不變，只有載流子定向移動了
16樓：安全護航
摻雜濃度????那是產生時就定了！！！！
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