1樓：匿名使用者
你這個實際上是計算了除p點外所有球殼上電荷在p點的電場強度，因為圓環電場那個公式就是對環外一點的；而高斯定理是所有點。所以缺少了p點自身產生的場強；由對稱性可知p點產生的場強正好和除p點外所有點產生的場強相等，所以最終結果應該是你積分結果的2倍，應該就和高斯定理算的一樣了。
2樓：謎惑中
推到都沒錯，高斯定理結果是：球殼表面（外）上的電場是4πkδ 這也是對的，你是問這兩個東西為什麼不同對吧，因為這兩個根本就不在同一點上！
1）上面推導是球殼上一點，距球心為半徑r；而高斯定理的點位於球殼外，距球心r+e（e>0）；
2）如果要用高斯定理求上面推導的結果，則要考慮電場的跳變，其為：
e(r)=(e(r+e)+e(r-e))/2=(4πkδ+0)/2=2πkδ
和上述推導的結果一樣；
3）如果用上述推導去算表面外的電場，則其積分是從0到π，再從π到0，要算兩遍······所以會變成兩倍········這就和高斯公式一樣了···········ok`````````
一半徑為r的半球殼，均勻地帶有電荷，電荷面密度為δ.求球心處電場強度的大小。 大學物理，我的步驟 10
3樓：匿名使用者
等效。假設半球面上為正電荷，電場指向球心，現在反過來，所有電荷集中至球心，且變為負電荷，則球面上的電場強度為原先球心的電場強度，由於算的是半球面，電場除二。別看了，我是來搞笑的，莫當真。
4樓：匿名使用者
取一個圓環微元，圓環上各點到球心距離相同。
關於均勻帶電半球殼對其球心產生的場強的計算問題
5樓：匿名使用者
是放入電場中某點的電荷所受靜電力f跟它的電荷量比值，定義式e=f/q ，適用於一切電場；其中f為電場對試探電荷的作用力，q為試探電荷的電荷量。單位n/c。
由φ=kq/r，所以q=自己算。e=kq/r^2，所以e=自己算。球面外的場強分佈，相當於將這個半徑為r的均勻帶電球面上的電荷全部集中在球心，而形成的點電荷的場強分佈（這種等價只適用於球面外的空間），所以公式為e=kq/r^2。
6樓：匿名使用者
你的後面那個線電荷密度的計算上有問題。
應該加上一個 根號（r^2/(r^2-x^2))
一帶電量為Q的均勻帶電球殼，球的半徑為R，求球內 外電勢的分
帶電量為q，半徑為r。均勻帶電球面內外場強及電勢分佈 內部 場強e 0 球外部等效成球心處一點電荷 e kq r 2 r r 電勢相等，球外部等效成球心處一點電荷 kq r，如果是均勻帶電球體,結果與球殼相同。在球外可以將這個球殼等效為全部電荷集中在球心的點電荷處理，電勢分佈為k 4pair 2 r...
均勻帶電球面內部電場強度，一均勻帶電球面半徑為R,帶有電量Q,求球面內外的場強分佈。
一種方法，你可以用高斯定理分析，內部電荷為0，電場線通量為0，電場強度為0.在內部各個地方一樣。另一種方法，利用對稱的方法進行分析，以任意位置為研究點a。在面上任意位置取微元面。研究某個截面上，就是圓環。連線微元面與這個點，形成三角圓錐形。反向延長，就可以在另一個球面上找到一個微元面。如圖 可以證明...
設有一無限長均勻帶電直導線,其所帶電荷的線密度為,求帶電導線周圍的電場強度
取長度為l的導線，由於電場垂直於導線向外呈均勻輻射狀，在l周圍取一長為l，半徑為r的圓環形高斯面 高斯面內部包含電荷q l 由高斯定理，該高斯面的電通量 q 0，又電場在高斯面上強度相等，所以e s 2 rl q 0 2 rl 導線角按其位於導線前進方向的左側或右側而分別稱為左角或右角，並規定左角為...