1樓：柒月黑瞳
鋁砷化鎵。gaalas)。
砷化鎵（gallium arsenide），化學式 gaas。黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩定存在，並且不被非氧化性的酸侵蝕。
砷化鎵是一種重要的半導體材料。
屬ⅲ－ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數，熔點1237℃，禁頻寬度電子伏。
砷化鎵於1964年進入實用階段。砷化鎵可以製成電阻率。
比矽、鍺高3個數量級。
以上的半絕緣高阻材料，用來製作積體電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由於其電子遷移率比矽大5～6倍，故在製作微波器件和高速數位電路。
方面得到重要應用。用砷化鎵製成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫效能好、雜訊小、抗輻射能力強等優點。此外，還可以用於製作轉移器件──體效應器件。
砷化鎵是半導體材料中，兼具多方面優點的材料，但用它製作的晶體三極體的放大倍數小，導熱性差，不適宜製作大功率器件。雖然砷化鎵具有優越的效能，但由於它在高溫下分解，故要生產理想化學配比的高純的單晶材料，技術上要求比較高。
2樓：俯瞰天穹不是狂
鋁鎵砷，讀法就是呂，家，申。
砷化鋁鎵(algaas)主要應用在那些方面？
3樓：鵝子野心
砷化鋁鎵主要應用：
工業、科學和醫療。
測試和測量。
無線回傳。航空航天與國防。
gaalas（砷鋁化鎵）是iii-v族化合物半導體gaas和alas的混合結晶。通過改變ga1-xalxas中的x，可使能帶從變為。
什麼是砷化鋁鎵(algaas)二極體，有什麼特點？
4樓：網友
algaas技術在微波行業採用能隙工程生產新型半導體結構已有二十多年的歷史。利用多量子阱、超晶格和異質結的各種性質，已製造出由分子束外延法和有機金屬化學氣相沉積法生長的新型半導體。這些帶隙原理已應用於macom algaas技術的開發，因此推動了pin二極體射頻效能的大幅提公升。
主要優勢：與等效的gaas pin結構相比，改善了回波損耗、插入損耗和p-1db指標分立式異質結algaas pin二極體在10 ma偏流條件下展現了將高頻插入損耗降低兩倍的效能。
5樓：匿名使用者
砷化鋁鎵(algaas)二極體是pin二極體的一種，也是三層二極體，主要特點在於將鋁(al)用作二極體陽極層中的p型摻質，原理具體如下：
二極體的i層和n層包含砷化鎵。在陽極層加入鋁會使二極體結的帶隙相對於砷化鎵pin結構有所增大。當二極體的電壓低於正向偏置電壓時，這種帶隙差會在空穴從i層擴散回p層時產生較大的勢壘，從而增大i層中自由電荷載流子量層正向偏置電荷載流子量的這種增加減小了砷化鋁鎵pin二極體的串聯電阻，不會改變二極體反向偏置效能。
孩子讀書怎麼這麼難
6樓：匿名使用者
現在好像需要蠻多證，七證吧。戶口薄，孩子的出生證，你是個體戶需要營業執照，是打工需要單位證明。
7樓：我努力的方式
是資源不被共享，人家要的是這個學區以內的孩子，孩子多了，勢必造成競爭，還難管理。
半導體二極體按材料分為哪兩種
8樓：春素小皙化妝品
二極來管種類有很多，按源照所用的半導體材料，bai
可分為鍺二極體du（ge管）和矽二極體zhi（si管）。
根據其不dao同用途，可分為檢波二極體、整流二極體、穩壓二極體、開關二極體、隔離二極體、肖特基二極體、發光二極體、矽功率開關二極體、旋轉二極體等。按照管芯結構，又可分為點接觸型二極體、面接觸型二極體及平面型二極體。
9樓：網友
半導體二極體按材料可分為矽材料和鍺材料兩種。
10樓：網友
si，ge是最常用做兩種二極體的材料，讓後還有各種化合物半導體做發光二極體，後者肖特基二極體。
11樓：網友
可分為鍺二極體（ge管）和矽二極體（si管）
12樓：網友
通常有矽（si）和鍺（ge）。當然還有很多其它型別材料的半導體二極體。
13樓：不是什麼是菜鳥
單質半導體：鍺、矽。
化合物半導體：砷化鎵、磷化銦 等。主要做led
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