1樓：小周高等教育**答疑
當三極體的基極電流增加而集電極電流不隨著增加時就是飽和，假定負載電阻是1k，vcc是5v，飽和時電阻通過電流最大也就是5ma，用除以該管子的β值（假定β=100）5/100=0.05ma=50μa，那麼基極電流大於50μa就可以飽和。
1.在實際工作中，常用ib*β=v/r作為判斷臨界飽和的條件。根據ib*β=v/r算出的ib值，只是使電晶體進入了初始飽和狀態，實際上應該取該值的數倍以上，才能達到真正的飽和；倍數越大，飽和程度就越深。
2.集電極電阻 越大越容易飽和；
3.飽和區的現象就是：二個pn結均正偏，ic不受ib之控制。
2樓：帳號已登出
當三極體的基極電流增加而集電極電流不隨著增加時就是飽和，飽和電流由集電極電阻和發射極電阻決定，飽和電流的大小與三極體無關，一般當ce電壓小到0.4v時三極體就飽和了。
啟動後是否直接進入飽和狀態要看具體電路，放大、飽和區和放大、飽和狀態是不同的概念。
基極電流乘放大倍數等於或稍大於集電極電流時是淺度飽和，遠大於集電極電流時是深度飽和。在開關電路中深飽和會影響速度。
三極體具有電流放大作用，但必須要有外部電路條件相配合，即外部電路滿足「發射極e正向偏置。集電極反向偏置」這一條件。三極體的輸出特性渠線可以劃分為三個區，即放大區、飽和區、截止區。
在飽和區，飽和壓降一般很小（小於1伏）
什麼是三極體深度飽和？
3樓：
當三極體的基極電流增加而集電極電流不隨著增加時就是飽和，飽和電流由集電極電阻和發射極電阻決定，飽和電流的大小與三極體無關，一般當ce電壓小到0.4v時三極體就飽和了。
啟動後是否直接進入飽和狀態要看具體電路，放大、飽和區和放大、飽和狀態是不同的概念。
基極電流乘放大倍數等於或稍大於集電極電流時是淺度飽和，遠大於集電極電流時是深度飽和。在開關電路中深飽和會影響速度。
三極體具有電流放大作用，但必須要有外部電路條件相配合，即外部電路滿足「發射極e正向偏置。集電極反向偏置」這一條件。三極體的輸出特性渠線可以劃分為三個區，即放大區、飽和區、截止區。
在飽和區，飽和壓降一般很小（小於1伏）
我問：三極體·什麼是「深度飽和狀態」
4樓：匿名使用者
1.隨著基極電流逐步增大，三極體的集電極電流已經不隨著基極電流變化而變化；2.ube≥uce。這時候的狀態就是「深度飽和狀態」。
5樓：起個坡名想半天
基極驅動電流遠大於所需要的最小飽和基極電流。
6樓：泰和數控
當三極體的基極電流增加而集電極電流不隨著增加時就是飽和。
飽和電流由集電極電阻和發射極電阻決定，飽和電流的大小與三極體無關，一般當ce電壓小到0.4v時三極體就飽和了。其本質就是飽和時發射極和集電極都是正向偏置導通，故相當於短路。
基極電流乘放大倍數等於或稍大於集電極電流時是淺度飽和。
基極電流乘放大倍數遠大於集電極電流時是深度飽和。
三極體在深度飽和的狀態下，ic = β ib 的關係不成立，三極體的發射結和集電結都處於正向偏置,導電的狀態下，在電路中猶如一個閉合的開關。所以相當於短路。
ic-uce輸出特性曲線斜率趨近於無窮大，也就是電阻接近為零。
在開關電路中深飽和會影響開關速度。
三極體的飽和 和 深度飽和有什麼區別 20
7樓：
飽和：在外加vce= v1 不便的情況下，增大ib 直到ic 不再明顯增大，也就是放大倍數減小，此時為飽和。
深度飽和：繼續增大ib, 進入深度飽和。
從放大區到飽和區再到深度飽和，基區載流子濃度越來越大，造成toff 的增大也就是前面說的速度。
8樓：一江一月
當三極體的基極電流增加而集電極電流不隨著增加時就是飽和，飽和電流由集電極電阻和發射極電阻決定，飽和電流的大小與三極體無關，一般當ce電壓小到0.4v時三極體就飽和了。
啟動後是否直接進入飽和狀態要看具體電路，放大、飽和區和放大、飽和狀態是不同的概念。
基極電流乘放大倍數等於或稍大於集電極電流時是淺度飽和，遠大於集電極電流時是深度飽和。在開關電路中深飽和會影響速度。
三極體具有電流放大作用，但必須要有外部電路條件相配合，即外部電路滿足「發射極e正向偏置。集電極反向偏置」這一條件。三極體的輸出特性渠線可以劃分為三個區，即放大區、飽和區、截止區。
在飽和區，飽和壓降一般很小（小於1伏）
三極體的飽和狀態是什麼？
9樓：疏幻旅又青
三極體飽和後c、e
間視為短路.三極體截止後c、e
間視為開路.
三極體構成的放大電路，在實際應用中，除了用做放大器外（在放大區），三極體還有兩種工作狀態，即飽和與截止狀態。
三極體飽和狀態下的特點:
要使三極體處於飽和狀態，必須基極電流足夠大，即ib≥ibs。三極體在飽和時，集電極與發射極間的飽和電壓（uces）很小，根據三極體輸出電壓與輸出電流關係式uce＝ec－icrc，所以ibs＝ics／β＝ec－uces／β≈ec／βrc。三極體飽和時，基極電流很大，對矽管來說，發射結的飽和壓降ubes＝0.
7v（鍺管ubes＝－0.3v），而uces＝0.3v，可見，ube＞0，ubc＞0，也就是說，發射結和集電結均為正偏。
三極體飽和後，c、e
間的飽和電阻rce＝uces／ics，uces
很小，ics
最大，故飽和電阻rces很小。.飽和後ic不會隨著ib的增加再增加，三極體飽和後c、e
間視為短路。
三極體截止狀態下的特點:
要使三極體處於截止狀態，必須基極電流ib＝0，此時集電極ic＝iceo≈0（iceo
為穿透電流，極小），根據三極體輸出電壓與輸出電流關係式uce＝ec－icrc，集電極與發射極間的電壓uce≈ec。三極體截止時，基極電流ib＝0，而集電極與發射極間的電壓uce≈eco
可見，ube≤0，ubc＜0，也就是說，發射結和集電結均為反偏。三極體截止後，c、e
間的截止電阻rce＝uce／ic，uces
很大，等於電源電壓，ics
極小，c、e
間電阻rce
很大，所以，三極體截止後c、e
間視為開路.
.三極體放大狀態下的特點:
要使三極體處於放大狀態，基極電流必須為：0＜ib＜ibs。三極體放大時，基極電流ib＞0，對矽管來說，發射結的壓降ube＝0.
7v（鍺管ube＝－0.3v），三極體在放大狀態時，集電極與發射極間的電壓uce＞1v
以上，ube＞0，ubc＜0，也就是說，發射結正偏，集電結反偏。三極體在放大狀態時，ib
與ic成唯一對應關係。當ib
增大時，ic
也增大，並且1b
增大一倍，ic
也增大一倍。所以，ic
主要受ib
控制而變化，且ic
的變化比ib
的變化大得多，即集電極電流ic＝β×ib。
三極體中什麼是飽和壓降
10樓：綣語
飽和壓降就是三極體當前的基級電流大於基級最大飽和電流，此時我們稱判斷電路處於飽和狀態。
具體判斷方法如下：
在實際工作中，常用ib*β=v/r作為判斷臨界飽和的條件。根據ib*β=v/r算出的ib值，只是使電晶體進入了初始飽和狀態，實際上應該取該值的數倍以上，才能達到真正的飽和；倍數越大，飽和程度就越深。
2.三極體的集電極電阻越大，越容易達到飽和狀態。
3.飽和區的現象分為兩種：二個pn結均正偏，ic不受ib的控制。
4.判斷飽和時應該求出基級最大飽和電流ibs，然後再根據實際的電路求出當前的基級電流。
拓展資料：
飽和狀態在電子科學技術中，飽和狀態是指電晶體的一種低電壓、大電流工作狀態（即開態）.電晶體的工作狀態（或工作模式）包括有放大狀態、截止狀態、飽和狀態和反向放大狀態四種。
11樓：孫
三極體在飽和導通時發射極與集極之間的電壓叫三極體的飽和壓降。當三極體基極與發射極之間電壓ube足夠大且基極電流ib足夠大時，三極體處於飽和導通狀態，三極體在飽和導通狀態時，發射結正偏、集電結正偏，飽和壓降一般在0.2v-0.
3v 之間．
12樓：老冬烘
我看這個問題應該有個合理的思路。
大家知道三極體的工作狀態，其ic基本上是ib的β倍。（注意這是在放大狀態）由於集電極負載rc的存在將在rc兩端產生壓降ucf，三極體集-發極之間uce的大小是電源電壓減掉rc（以及射極電阻re）的壓降。而rc,re則限定了ic最大值無法超過電源ec/（rc+re），而不再是ib（若ib繼續增大）的β倍了。
這個ic最大值（顯然三極體不再能放大）可視為三極體的飽和電流。相應的uce就可以說就是三極體的飽和壓降了。顯然rc+re選值的大小決定了ic飽和值的大小。
不同大小的飽和電流當然會產生不同的飽和壓降。
為什麼飽和壓降會低於ube?
13樓：以忘洋沙
飽和模式，兩個pn結均正向導通vbe(sat)約=vbe(on)=0.7v，vbc(on)=0.4v，兩者等效反接的恆壓源，vce(sat)約等於0.7-0.4=0.3v
14樓：
三極體中的飽和壓降:
三極體的飽和壓降指的是工作在開關狀態的三極體處於導通狀態時的發射極與集電極之間的壓降，一般在1v左右。
什麼是三極體飽和狀態
15樓：古吉喆囍
三極體飽和後c、e 間視為短路.三極體截止後c、e 間視為開路.
三極體構成的放大電路，在實際應用中，除了用做放大器外（在放大區），三極體還有兩種工作狀態，即飽和與截止狀態。
三極體飽和狀態下的特點:
要使三極體處於飽和狀態，必須基極電流足夠大，即ib≥ibs。三極體在飽和時，集電極與發射極間的飽和電壓（uces）很小，根據三極體輸出電壓與輸出電流關係式uce＝ec－icrc，所以ibs＝ics／β＝ec－uces／β≈ec／βrc。三極體飽和時，基極電流很大，對矽管來說，發射結的飽和壓降ubes＝0.
7v（鍺管ubes＝－0.3v），而uces＝0.3v，可見，ube＞0，ubc＞0，也就是說，發射結和集電結均為正偏。
三極體飽和後，c、e 間的飽和電阻rce＝uces／ics，uces 很小，ics 最大，故飽和電阻rces很小。.飽和後ic不會隨著ib的增加再增加，三極體飽和後c、e 間視為短路。
三極體截止狀態下的特點:
要使三極體處於截止狀態，必須基極電流ib＝0，此時集電極ic＝iceo≈0（iceo 為穿透電流，極小），根據三極體輸出電壓與輸出電流關係式uce＝ec－icrc，集電極與發射極間的電壓uce≈ec。三極體截止時，基極電流ib＝0，而集電極與發射極間的電壓uce≈eco 可見，ube≤0，ubc＜0，也就是說，發射結和集電結均為反偏。三極體截止後，c、e 間的截止電阻rce＝uce／ic，uces 很大，等於電源電壓，ics 極小，c、e 間電阻rce 很大，所以，三極體截止後c、e 間視為開路.
.三極體放大狀態下的特點:
要使三極體處於放大狀態，基極電流必須為：0＜ib＜ibs。三極體放大時，基極電流ib＞0，對矽管來說，發射結的壓降ube＝0.
7v（鍺管ube＝－0.3v），三極體在放大狀態時，集電極與發射極間的電壓uce＞1v 以上，ube＞0，ubc＜0，也就是說，發射結正偏，集電結反偏。三極體在放大狀態時，ib 與ic 成唯一對應關係。
當ib 增大時，ic 也增大，並且1b 增大一倍，ic 也增大一倍。所以，ic 主要受ib 控制而變化，且ic 的變化比ib 的變化大得多，即集電極電流ic＝β×ib。
請問以下三極體的工作狀態（放大，飽和，截止，損壞），謝謝各位高手
c圖是截止狀態，沒有電流流過rc電阻，所以集電極電壓也是12v,基極與發射極之間電壓降為0.7v，好像有點不太正常，按理在截止狀態下，這個電壓降應小於死區電壓0.5v才對 矽管 d圖三極體已損壞。也不知集電極上的 12v是怎麼來的，看不出來，可能是提問者弄錯了。原來有比我還無聊的啊 d圖損壞。c圖放...
更換三極體的型號三極體壞了，想換新的，三極體上寫著「13001 s 8d」，請問各位三極體是不是到五金店
13001是型號的主要資訊，其餘的是次要的無所謂的資訊。只要買13001或者13002或者13003都可以代替。不要去五金店那裡沒有，應該在電器修理部買，幾塊錢一個。或者在網上購買。我有個三極體13001 s8d壞了，現在有以下 中的三極體，大神看看有能替換的沒！那些都不能代換，13001很普通的，...
什麼是三極體的截止狀態和飽和狀態
簡單來說，截止狀態就是三極體的集電極和發射極之間電阻很大，就好像斷開一樣，飽和狀態剛好相反，集電極和發射極之間就好像短路一樣，兩者是完全相反的關係，斷開基極的電流或者減小到足夠小時，三極體就進入截止狀態，相反，向基極提供足夠大的電流時，三極體就進入飽和狀態 三極體的三種工作狀態 截止 放大 飽和是三...