1樓:
晶片7nm,10nm指的是採用7nm,10nm製程的一種晶片,nm是單位奈米的簡稱。
目前,製造晶片的原材料以矽為主。不過,矽的物理特性限制了晶片的發展空間。2023年4月,英特爾宣佈,在達到7nm工藝之後將不再使用矽材料。
相比矽基晶片,石墨烯晶片擁有極高的載流子速度、優異的等比縮小特性等優勢。ibm表示,石墨烯中的電子遷移速度是矽材料的10倍,石墨烯晶片的主頻在理論上可達300ghz,而散熱量和功耗卻遠低於矽基晶片。麻省理工學院的研究發現,石墨烯可使晶片的執行速率提升百萬倍。
2樓:亦如
1、簡單來說的xx nm指的是cpu的上形成的互補氧化物金屬半導體場效應電晶體柵極的寬度,也被稱為柵長。
2、詳細解釋如下,電流從source(源極)流入drain(漏級),gate(柵極)相當於閘門,主要負責控制兩端源極和漏級的通斷。電流會損耗,而柵極的寬度則決定了電流通過時的損耗,表現出來就是手機常見的發熱和功耗,寬度越窄,功耗越低。而柵極的最小寬度(柵長),就是xx nm工藝中的數值。
3、晶片市場上,一款晶片製程工藝的具體數值是手機效能關鍵的指標。製程工藝的每一次提升,帶來的都是效能的增強和功耗的降低,而每一款旗艦手機的釋出,常常與晶片效能的突破離不開關係。
驍龍835用上了更先進的10nm製程, 在整合了超過30億個電晶體的情況下,體積比驍龍820還要小了35%,整體功耗降低了40%,效能卻大漲27%。
4、得益於摩爾定律的**,走到今天,比拇指還小的晶片裡整合了上億個電晶體。蘋果a10 fusion晶片上,用的是臺積電16nm的製造工藝,整合了大約33億個電晶體。
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10nm晶片製程難度
對於晶片製造商而言,主要就要不斷升級技術,力求柵極寬度越窄越好。不過當寬度逼近20nm時,柵極對電流控制能力急劇下降,會出現「電流洩露」問題。為了在cpu上整合更多的電晶體,二氧化矽絕緣層會變得更薄,容易導致電流洩漏。
一方面,電流洩露將直接增加晶片的功耗,為電晶體帶來額外的發熱量;另一方面,電流洩露導致電路錯誤,訊號模糊。為了解決訊號模糊問題,晶片又不得不提高核心電壓,功耗增加,陷入死迴圈。
因而,漏電率如果不能降低,cpu整體效能和功耗控制將十分不理想。這段時間臺積電產能跟不上很大原因就是用上更高製程時遭遇了漏電問題。
還有一個難題,同樣是目前10nm工藝晶片在量產遇到的。
當電晶體的尺寸縮小到一定程度(業內認為小於10nm)時會產生量子效應,這時電晶體的特性將很難控制,晶片的生產難度就會成倍增長。驍龍835出貨時間推遲,x30遙遙無期主要原因可能是要攻克良品率的難關。
3樓:親愛的燦是我
1、晶片7nm.10nm指的是,cpu的上形成的互補氧化物金屬半導體場效應電晶體柵極的寬度,也被稱為柵長。
2、擅長是晶片市場上,一款晶片製程工藝的具體數值是手機效能關鍵的指標。
3、製程工藝的每一次提升,帶來的都是效能的增強和功耗的降低,而每一款旗艦手機的釋出,常常與晶片效能的突破離不開關係。
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選購晶片的注意事項
1、首先選擇大企業開關電源晶片廠家生產的ic產品銀聯寶在質量上能保障使用的安全性和產品的質量問題,選擇小企業或是沒有生產條件的開關電源晶片廠家在質量上沒有什麼可以保障。
2、選擇開關電源晶片廠家要選擇開關電源晶片種類多的企業,對於數量充足的ic廠家一來要以解決開關電源晶片的種類缺貨問題還可以保障開關電源晶片的交期問題。
3、在選擇一家開關電源晶片廠家採購開關電源晶片的同時可能會遇到這個廠家沒有要的那個型號,但是推薦使用另一種開關電源晶片,那就要考慮是不是能通用了。
4樓:匣子說娛樂
7nm和12nm,手機應用上的晶片到底有多大區別?
5樓:賀寧
所謂的xx nm其實指的是,cpu的上形成的互補氧化物金屬半導體場效應電晶體柵極的寬度,也被稱為柵長
6樓:
越小代表著越精細。整合度越高。現在手機7nm還是主流的。
晶片16nm跟10nm 有什麼區別
7樓:風吹雪
就是新品的加工工藝不一樣,一個加工工藝更先進,精度更高。10nm比16nm的精度更高。
8樓:匿名使用者
好多文章說臺積電的好些,能耗比三星的低,但最近又有測試說兩種沒有區別,具體結果還要拭目以待。
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