1樓：青川小舟
你的理解前大半都正確，飽和時，集電極電流達到了最大值，集電極電阻上的壓降vrc接近vcc。具體以npn矽管解釋，vcc=vrc+vce，這時的vce僅有0.3v左右，小於vbe，所以基極與集電極之間是正偏的。
只是0.3遠小於0.7 但遠還不到導通的壓差。
2樓：匿名使用者
應該按照書上給的式子更容易理解：ic=βib，ic會隨ib的增加而增加的，要注意的是：集電極與發射極電壓vce是等於電源電壓vcc減去集電極電阻上的電壓rc*ic得到的（vce=vcc-rc*ic），當rc*ic大到使得「vce小到基極和集電極之間電勢差為0或者基極與集電極之間正偏時「，視為飽和，這時集電極與發射極之間電壓vce已經非常小了（0.
3v）相當於短路了，即使再增加基極電流vce都無法再小，當然ic也就無法增加了，一般基極與發射極之間電壓vbe為0.7v，而vce可以到0.3v，所以基極與集電極之間會正偏的，而且電流也會由b流向c，這種情況應該避免。
3樓：光軍光
從理論上說，不管是npn還是pnp都是空穴導電的，而不是電子、、、
「npn三極體飽和」電流導通已到極點（不能再大了）
4樓：
好像你沒必要理解這麼深吧，如果不是學微電子的，可以深學，要是直接用，知道飽和，截止，放大區的物理意義及其區別，注意，不是所有的知識都要學，而是要術業有專攻。
5樓：匿名使用者
這樣理解比較合適，可以認為c集是一個電子流通道，通道上均勻的分佈電子，當飽和的時候，可以認為c集通道完全開啟了，放大狀態只有部分開啟，完全開啟後通道兩側電阻近似為0
請問什么是三極體的飽和深度，請問什麼是三極體的飽和深度？
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