1樓:三江南流
iceo:基極開路,集電極和發射極正向漏電流。
電晶體工作在截止區,由於電晶體由半導體材料製成,ce 間就只存在極微的」漏「電流,電晶體在截止區時它的be極是反偏的,基極並未開路,所以ce間的漏電流小於iceo.
飽和區ic<=βib,電晶體工作於飽和區,它的集電極電流理論值就是βib,實際上電晶體在飽和區的電流由於受負載與電路引數制約,是不可能達到這個值的,沒有電路引數的制約,電晶體在ic<=βib的條件下就會損壞。
放大區的ic是受ube的控制,但電晶體進入放大區後,其ube就基本上不再上升,ub電壓的上升(變化)轉化為ib電流的增大(變化),所以說是受到基極電流的控制。
拙見!供參考。
2樓:勢賀撥吉
第一個小於就是實際上沒有,或者極小沒實際意義。第二個小於就是基極的電流比須要的實際值大得多,那時的ic由外電路決定,此時電晶體實際是飽和的。
3樓:楚天長哥
be電壓和電流的關係不是線性的,符合二極體的ui特性,所以用電壓控制的說法是不正確的。
理想的三極體be電壓是固定的,內阻為零,電流變化電壓可以不變的。
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