1樓：香料魔法
1、寫入/擦除操作的時間不同
【nand flash】：擦除nand器件以8～32kb的塊進行，執行同一寫入/擦除的操作時間為4ms
【nor flash】：擦除nor器件是以64～128kb的塊進行，執行同一個寫入/擦除操作的時間為5s
2、介面不同
【nand flash】：nand flash使用較為複雜的i/o口來序列地存取資料，並且各個產品或廠商的方法可能各不相同。
【nor flash】：nor flash為sram介面，擁有足夠的地址引腳用於定址。
3、容量成本不同
【nand flash】：nand flash的單元尺寸大約為nor器件的一半，由於生產過程更為簡單，因此**較低。
【nor flash】：nor flash單元尺寸較大，生產過程也較為複雜，因此**較高。
4、耐用性不同
【nand flash】：nand快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次。
【nor flash】：nor快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是十萬次。
2樓：匿名使用者
1：nor flash隨機傳輸效率比nand flash 高。
原理：norflash帶有sram介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每 一個位元組。nand器件使用複雜的i/o口來序列地存取資料，各個產品或廠商的方法可能各不相同 。
8個引腳用來傳送控制、地址和資料資訊。
2：nand flash比nor flash更加易於使用。
原理：可以非常直接地使用基於nor的快閃記憶體，可以像其他儲存器那樣連線，並可以在上面直 接執行**。由於需要i/o介面，nand要複雜得多。
各種nand器件的存取方法因廠家而異。在使用nand器件時，必須先寫入驅動程式，才能繼續執行其他操作。
向nand器件寫 入資訊需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞 塊寫入，這就意味著在nand器件上自始至終都必須進行虛擬對映。
3：norflash的升級較為麻煩，因為不同容量的norflash的地址線需求不一樣，所以在更換不同容量的norflash晶片時不方便。而不同容量的nandflash的介面是固定的，所以升級簡單。
4：讀操作：nor的讀速度比nand稍快一些。
擴充套件資料
nor和nand是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。intel於2023年首先開發出nor flash技術，徹底改變了原先由eprom和eeprom一統天下的局面。
緊接著，2023年，東芝公司發表了nand flash結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且像磁碟一樣可以通過介面輕鬆升級。
但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清nor和nand快閃記憶體。
許多業內人士也搞不清楚nand快閃記憶體技術相對於nor技術的優越之處，因為大多數情況下快閃記憶體只是用來儲存少量的**並且需要多次擦寫，這時nor快閃記憶體更適合一些。
而nand則是高資料儲存密度的理想解決方案。
3樓：小明
一、兩者區別：
1、儲存架構不一樣：
在nor快閃記憶體中，每個儲存器單元的一端連線到源極線，另一端直接連線到類似於nor門的位線；
在nand快閃記憶體中，幾個儲存器單元（通常是8個單元）串聯連線，類似於nand門；
2、儲存容量不一樣：
nor快閃記憶體的密度範圍從64mb到2gb；
nand快閃記憶體通常具有1gb至16gb的容量；
3、擦除/讀寫不一樣：
nand快閃記憶體s34ml04g2需要3.5ms才能擦除128kb塊，而nor快閃記憶體s70gl02gt則需要約520ms來擦除類似的128kb扇區。
4、能耗不一樣：nand flash在擦除，寫入和順序讀取操作中消耗的功率相對較低；
5、可靠性不一樣：
nor flash快閃記憶體s70gl02gt提供20年的資料保留，最高可達1k程式設計/擦除週期，nand快閃記憶體s34ml04g2提供10年的典型資料保留；
6、介面為一樣：
norflash帶有sram介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每 一個位元組；
nand器件使用複雜的i/o口來序列地存取資料，
二、兩者應用場景：
1、nor快閃記憶體是需要較低容量、快速隨機讀取訪問和更高資料可靠性的應用的理想選擇，例如**執行所需；
2、nand快閃記憶體則非常適用於需要更高記憶體容量和更快寫入和擦除操作的資料儲存等應用；nand-flash儲存器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用於大量資料的儲存，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、***隨身聽記憶卡、體積小巧的u盤等
擴充套件資料
nand型快閃記憶體以塊為單位進行擦除操作。快閃記憶體的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有資料，必須先擦除後寫入，因此擦除操作是快閃記憶體的基本操作。
而sram (static ram，靜態隨機儲存器) - 此類靜態ram的執行速度非常快，也非常昂貴，其體積相對來說也比較大。今天我們常說的cpu內的一級、二級快取就是使用了此sram。
英特爾的 pentium iii coppermine cpu中結合有256kb的全速二級快取，這實際上就是一種sram。非常不幸得就是 此種sram與其"夥伴"dram相比非常地昂貴，因此在cpu內只能使用少量的sram，以降低處理器的生產成本；
不過由於sram的特點---高速 度，因此對提高系統效能非常有幫助。處理器內的一級快取，其執行頻率與cpu的時鐘同步；而二級快取可以整合在cpu中，也可以位於如一些slot-1 cpu的邊上。
參考資料
4樓：匿名使用者
1、儲存架構不同
nor flash架構提供足夠的地址線來對映整個儲存器範圍。這提供了隨機訪問和短讀取時間的優勢，這使其成為**執行的理想選擇。另一個優點是100％已知的零件壽命。
缺點包括較大的單元尺寸導致每位元的較高成本和較慢的寫入和擦除速度。
與nor快閃記憶體相比，nand快閃記憶體具有更小的單元尺寸和更高的寫入和擦除速度。缺點包括較慢的讀取速度和i / o對映型別或間接介面，這更復雜並且不允許隨機訪問。值得注意的是，nand flash中的**執行是通過將內容對映到ram來實現的，這與直接從nor flash執行**不同。
2、儲存容量不同
與nor快閃記憶體相比，nand快閃記憶體的密度要高得多，主要是因為其每位元成本較低。nand快閃記憶體通常具有1gb至16gb的容量。nor快閃記憶體的密度範圍從64mb到2gb。
由於nand flash具有更高的密度，因此主要用於資料儲存應用。
3、擦除/讀寫不同
nand快閃記憶體中的擦除操作非常簡單，而在nor快閃記憶體中，每個位元組在擦除之前都需要寫入「0」。這使得nor快閃記憶體的擦除操作比nand快閃記憶體慢得多。例如，nand快閃記憶體s34ml04g2需要3.
5ms才能擦除128kb塊，而nor快閃記憶體s70gl02gt則需要約520ms來擦除類似的128kb扇區。
4、能耗不同
nor快閃記憶體在初始上電期間通常需要比nand快閃記憶體更多的電流。但是，nor flash的待機電流遠低於nand flash。兩個快閃記憶體的瞬時有功功率相當。
因此，有效功率由儲存器活動的持續時間決定。
nor flash在隨機讀取方面具有優勢，而nand flash在擦除，寫入和順序讀取操作中消耗的功率相對較低。
擴充套件資料
nor和nand是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。intel於2023年首先開發出nor flash技術，徹底改變了原先由eprom和eeprom一統天下的局面。
緊接著，2023年，東芝公司發表了nand flash結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕鬆升級。但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清nor和nand快閃記憶體。
像「flash儲存器」經常可以與相「nor儲存器」互換使用。許多業內人士也搞不清楚nand快閃記憶體技術相對於nor技術的優越之處，因為大多數情況下快閃記憶體只是用來儲存少量的**，這時nor快閃記憶體更適合一些。
5樓：機智的煎餅
nand flash和nor flash的比較如下：
（1）效能比較
flash快閃記憶體是非易失儲存器，可以對稱為塊的儲存器單元塊進行擦寫和再程式設計。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。
nand器件執行擦除 操作是十分簡單的，而nor則要求在進行擦除前 先要將目標塊內所有的位都寫為0。
由於擦除nor器件時是以64～128kb的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s ，與此相反，擦除nand器件是以8～32kb的塊進 行的，執行相同的操作最多只需要4ms。
執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了nor和nand之間的效能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作（尤其是更新小檔案時）， 更多的擦除操作必須在基於nor的單元中進行。
這樣，當選擇儲存解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。
1、nor的讀速度比nand稍快一些。
2、 nand的寫入速度比nor快很多。
3、nand的擦除速度遠比nor快。
4、nand的擦除單元更小，相應的擦除電路更加簡單。
5、nand的實際應用方式要比nor複雜的多。
6、nor可以直接使用，並在上面直接執行**，而nand需要i/o介面，因此使用時需要驅動。
（2）介面差別
norflash帶有sram介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每 一個位元組。
nand器件使用複雜的i/o口來序列地存取資料，各個產品或廠商的方法可能各不相同 。8個引腳用來傳送控制、地址和資料資訊。
nand讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於nand的儲存器就可以取代硬碟或其他塊裝置。
nor的特點是晶片內執行(xip, execute in place),這樣應用程式可以直接在flash快閃記憶體內執行,不必再把**讀到系統ram中。
nor的傳輸效率很高,在1～4mb的小容量時具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的效能。
nand結構能提供極高的單元密度,可以達到高儲存密度,並且寫入和擦除的速度也很快。應用nand的困難在於flash的管理需要特殊的系統介面。
nor和nand是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。intel於2023年首先開發出nor flash技術，徹底改變了原先由eprom和eeprom一統天下的局面。
緊接著，2023年，東芝公司發表了nand flash結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且像磁碟一樣可以通過介面輕鬆升級。但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清nor和nand快閃記憶體。
「nand儲存器」經常可以與「nor儲存器」相互換使用。許多業內人士也搞不清楚nand快閃記憶體技術相對於nor技術的優越之處，因為大多數情況下快閃記憶體只是用來儲存少量的**並且需要多次擦寫，這時nor快閃記憶體更適合一些。而nand則是高資料儲存密度的理想解決方案。
nor的特點是晶片內執行（xip, execute in place），這樣應用程式可以直接在flash 快閃記憶體內執行，不必再把**讀到系統ram中。nor的傳輸效率很高，在1～4mb的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除 速度大大影響了它的效能。
nand結構能提供極高的單元密度，可以達到高儲存密度，並且寫入和擦除的速度也很快。應用nand的困難在於flash的管理需要特殊的系統介面。
nand flash的容量和成本
nand flash的單元尺寸幾乎是nor器件的一半，由於生產過程更為簡單，nand結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就 相應地降低了**。
nor flash佔據了容量為1～16mb快閃記憶體市場的大部分。
而nand flash只是用在8～128mb的產品當中，這也說明nor主要應用在**儲存介質中，nand適合於資料儲存，nand在***pactflash、secure digital、pc cards和m mc儲存卡市場上所佔份額最大。
請問招標和專案資訊如何獲瓤，請問招標和專案資訊如何獲取啊？
從你的問題描述中，發現你這不是不知道招標和專案資訊獲取問題，更多的是不知道怎麼跑業務問題，準確來說是不知道如何篩選專案的問題！你現在是已經知道資訊從 獲取了，只不過查詢出來的是不符合你跟進階段的專案不是早就是遲了。如何從海量工程資訊中篩選出適合自己跟進的專案？您本人是做化工裝置的，不知道你具體做一方...
請問蝦不能和什麼吃，請問蝦不能和什麼吃？
實際上蝦與很多高蛋白的食物一樣，不宜與大量水果同吃。因為蝦的蛋白質含量高，含有大量的鈣 磷元素，如果和鞣酸含量較高的食物同食，會降低它的營養價值，而且可能會產生一些難溶性的鈣，如草酸鈣，不利於消化吸收，同時可能會導致噁心 嘔吐 頭暈 腹痛的一些症狀。但是攝入普通量的水果關係不大，大量的水果則不可以。...
請問webdings和wingdings的字型怎麼用
簡單，應該是ttf檔案吧，拷貝到c盤 windows fonts資料夾下，然後你就可以在word用了，我下了字型檔案都是這樣 在word字型中webdings和wingdings字型是什麼？word中本來有個方框，怎麼在裡面新增對號？webdings和wingdings 是一些特定復符號，不少很有用...