1樓：串聯諧振武漢赫茲電力
影響介質損耗因數測量結果的因素如下：
1)溫度的影響。溫度對tanδ有直接影響，其程度因絕緣材料和裝置結構而異。一般來說，tanδ隨著溫度的公升高而增加。
為了便於比較，應將不同溫度下測得的tanδ值換算成20℃後再進行比較。
油浸式電力變壓器的溫度換算公式為：
tanδ2=tanδ1×
在這個公式中，tanδ1和tanδ2分別是t1和t2時的tanδ值。
由於被測產品的真實平均溫度難以準確測量，影響了轉換結果的正確性。因此，測量應儘可能在10-30℃的溫度下進行，最好每次溫度相近。
當受潮的絕緣材料低於0℃時，水分會凍結，tanδ會降低。因此，在太低的溫度下測得的tanδ不能反映真實的絕緣情況，所以tanδ的測量溫度不應低於5℃。
測試電壓的影響。絕緣良好的tanδ不隨電壓的公升高而明顯哪謹增加。如果存在內部缺陷，其tanδ會隨著測試電壓的公升高而明顯增大。
3)tanδ與樣品電容的關係。對於電容小的器件(如套管、變壓器、耦合電容等。)，測量tanδ可以有效發現區域性集中和整體分佈的缺陷。
但對於電容較大的裝置(如大中型變壓器等衝信。)，tanδ的測量只能發現絕緣的整體分佈缺陷，因為區域性集中缺陷引起的損傷增加只佔總損耗的極小一部分，容易被掩蓋。李判基裝置的絕緣結構總是由許多元件組成，包含多種材料，可視為由許多串並聯等效電路組成。
自動抗干擾介損測試儀是參照最新行業標準和電力測試規程開發生產的高精度介損測試儀。採用了最新的變頻技術，濾除了工頻場中產生的干擾，保證了儀器在強電場干擾下的準確測量。高壓公升壓變壓器，採用完善的過零合閘、防雷等安全保護措施。
測試時輸出 kv ~ 10 kv不同等級的高壓，操作簡單安全。適用於發電廠、變壓器製造廠和電力維護部門。
2樓：串聯諧振華天電力
影響介質損耗因數測量結果的因素有如下幾點：
1）溫度的影響。溫度對敏伍tanδ有直接影響，其程度隨絕緣材料。
裝置結構的不同而異。一般情況下，tanδ隨溫度公升高而增大，為了便於比較，應將不同溫度下測得的tanδ值換算橋旦或至20℃，再進行比較。
油浸式電力變壓器的溫度換算公式為：
tanδ2=tanδ1×
式中，tanδ1 、tanδ2分別為t1、t2時的tanδ值。
由於被試品的真實平均溫度很難測準，對換算結果的正確性收到影響。因此，應儘可能在10-30℃溫度下進行測量，最好每次在相近溫度下測量。
受潮的絕緣材料在0℃以下時水分會凍結，tanδ會降低。因此，過低溫度下測得的tanδ不能反映真實的絕緣狀況，故測量tanδ的溫度不應低於5℃。
2）試驗電壓的影響。良好絕緣的tanδ不隨電壓的公升高而明顯增加。若內部有缺陷，則其tanδ將隨試驗電壓的公升高而明顯增加。
3）tanδ與試品電容的關係。對電容量。
較小的裝置（如套管、互感器、耦合電容器等），測量tanδ能有效地發現區域性集中性和整體分佈性的缺陷。但對電容量較大的裝置（如大、中型變壓器等），測量tanδ只能發現絕緣的整體分佈性缺陷，因為區域性集中性的缺陷所引起的損壞增加只佔總損耗的極小部分，容易被掩蓋，裝置絕緣結構總是由許多部件構成幷包含多種材料，可以看成是由許多串、並聯等值迴路組成。
全自動抗干擾介損測試儀是參照最新的行業標準以及電力試驗規程規範研發生產的高精度介質損耗測試儀。採用了最新的變頻技術，濾掉了工頻現遲辯場產生的干擾，保證儀器在強電場干擾下準確測量。採用了高壓公升壓變壓器，完善的過零合閘、防雷擊等安全保護措施，試驗過程中輸出不同等級的高壓，使用過程中操作簡單、安全。
適用於發電廠、變電、互感器製造廠家以及電力檢修部門。
回覆者：華天電力。
介質損耗因數
3樓：帳號已登出
介質損耗（dielectric loss ）指的是絕緣材料在電場作用下，由於介質電導。
和介質極化的滯後效應，在其內部引起的能量損耗。也叫介質損失，簡稱介損。
介質損耗因數（dielectric loss factor）指的是衡量介質損耗程度的引數。
介質損耗角δ
在交變電場作用下，電介質。
內流過的電流相量和電壓相量之間的夾角(功率因數。
角φ的餘角δ)。簡稱介損角。
介質損耗正切值tgδ
又稱介質損耗因數，是指介質損耗角正切值，簡稱介損角正切。介質損耗因數的定義如下：
如果取得試品的電流相量和電壓相量，則可以得到如下相量圖：總電流可以分解為電容電流ic和電阻電流ir合差緩成，因此：這正是損失角δ=(90°-φ的正切值。
現在的數位化儀器從本質上講，是通遲慶晌過測量δ或者φ得到介損因數。 測量介損對判斷電氣裝置的絕緣狀況是一種傳統的、十分有效的方法。絕緣能力的下降直接反映為介損增大。
進一步就可以分析絕緣下降的原因，如：絕緣受潮、絕緣油受汙染、老化變質等等。測量介損的同時，也能得到試品的電容量。
如果多個電容屏。
中的乙個或幾個發生短路、斷路，電容量就有明顯的變化，因此電容量也是乙個重要引數。 4、功率因數cosφ功率因數是功率因數角φ的餘弦。
值，意義為被測試品的總視在功率s中有功功率p所佔的比重。功率因數的定義如下：有的介損測試儀習慣顯示功率因數(pf:
cosφ)，而不是介質損耗因數(df:tgδ)。一般cosφ電橋。
高壓電容電橋的標準通道輸入標準電容器的電流、試品通道輸入試品電流。通過比對電流相位差測量tgδ，通過出比電流幅值測量試品電容量。因此用電橋測量介損還碼鋒需要攜帶標準電容器、公升壓pt和調壓器。
接線也十分煩瑣。 6、高壓介質損耗測量儀 簡稱介損儀，是指採用電橋原理，應用數字測量技術，對介質損耗角正切值和電容量進行自動測量的一種新型儀器。一般包含高壓電橋、高壓試驗電源和高壓標準電容器三部分。
ai-6000利用變頻抗干擾原理，採用傅立葉。
變化數字波形分析技術，對標準電流和試品電流進行計算，抑制干擾能力強，測量結果準確穩定。
電介質損耗在工程上的意義有哪些
4樓：
電介質損耗在工程上的意義有哪些親！您好，很高興為您解答<>親電介質損耗在工程上的意義如下：介質損耗角正切角又派蔽叫介電損耗角正切，是指電介質在單位時間內每單位體積中，將電能轉化為熱能（以發熱形式）而消耗的能量。
表徵電介質材料在施加電場後介質損耗大小的物理量，以tanδ來表示，δ是介電損耗角。介質損耗角是在交變電場下，電介質內流過電流向量和電壓向量之間的夾角。作用：
在實際工程應用中，介質損耗通常都是用介質損耗角的正切tanδ來表示的。用tanδ值來研究電介質損耗具有以下兩個明顯的優點：（1）tanδ值可以和介電常數ε同時測量得到；（2）tanδ值與測大羨塵滾禪量樣品的大小和形狀都無關，是電介質自身的屬性，並且在許多情況下，tanδ值比ε值對介質特性的改變敏感的多。
希望我的能幫助到您<>
請問您還有其它問題需要諮詢嗎？
介質損耗有哪幾種形式 產生的原因是什麼
5樓：是嘛
絕緣材料在電場作用下，由於介質電導和介質極化的滯後效應，會在其內部引起能量損耗。這是介質損耗產生的原因。介質損耗有以下幾種形式：
1、漏導損耗，實際使用中的絕緣材料在外電場的作用下，總有一些帶電粒子會發生移動而引起微弱的電流，漏導電流流經介質時使介質發熱而損耗了電能。這種因電導而引起的介質損耗稱為「漏導損耗」。
2、極化損耗，在介質發生緩慢極化時，帶電粒子在電場力的影響下因克服熱運動而引起的能量損耗。
3、電離損耗，是由氣體引起的，含有氣孔的固體介質在外加電場強度超過氣孔氣體電離所需要的電場強度時，由於氣體的電離吸收能量而造成指耗。
4、結構損耗，在高頻電場和低溫下，有一類與介質內鄰結構的緊密度密切相關的介質損耗稱為結構損耗。
5、巨集觀結構不均勾性的介質損耗，工程介質材料大多數是不均勻介質。
損耗因子的定義
6樓：網友
黏彈性材料在交變力場作用下應變與應力週期相位差角的正切，也等於該材料的損耗模量與儲能模量之比。
對剪下應力而言，損耗因子tanδ=g″/gˊ；對法嚮應力而言，損耗因子tanδ=e″/e′。如果δ=0，作用力完全有效地用於橡膠變形，沒有內耗；如果作用力完全用於克服橡膠的黏性阻力(內摩擦)，損耗角的大小代表了動態變形下能量損耗的大小。損耗因子的大小代表的是材料的粘彈性效能，損耗因子越大說明材料的黏性越大，損耗因子越**明材料的彈性越大。
在一定的範圍內可以表示材料的狀態。
介質損耗因數偏大的原因有哪些？
7樓：串聯諧振華天電力
絕緣介質在交流電壓作用下，電介質。
中的部分電能將轉變成熱能，這部分能量稱為電介質損耗，棗笑介質損耗因數一般用正切值。
tanδ表示。
介質損耗因數偏大的原因及處理方法：
1）瓷套表面受潮。瓷套表面電阻的大小直接影響tanδ的準確度。
因為表面電阻與體積電阻並聯在毀消一起，當電橋。
採用反接法測量時，會使tanδ值偏大。
解決方法是：
1）用電吹風。
遠紅外等烘燥表面，或在日光下暴曬。
2）用揮發性。
強的液體清潔。
3）用憎水性塗料塗於瓷套表面。
2）電場干擾。干擾電流id在被試品電流ix的右側，使tanδ測量結果大於實際值，此時應採用試驗電源移相法測量tanδ或使用帶抗干擾功能的介損儀。
3）被試品cx接地迴路接觸不良。當被試品cx接地迴路接觸不良時，會使tanδ值偏大，此時應改善被試品接地迴路接觸情凳餘含況。
回覆者：華天電力。
介質損耗因數的介紹
8樓：匿名使用者
介質損耗（dielectric loss ）指的是絕緣材料在電場作用下，由於介質電導和介質極化的滯後效應，在其內部引起的能量損耗。也叫介質損失，簡稱介損。介質損耗因數（dielectric loss factor）指的是衡量介質損耗程度的引數。
半導體受哪些因素影響
半導體的光電導是指光照射半導體使電導增大的現象。本徵半導體的電導能力 電導率 很小，經光照射後半導體內部產生光生載流子 電子或空穴 使其導電能力加大。光照射前後半導體電導的改變與光的波長 強度以及半導體中雜質缺陷態的能級位置密切相關。光電導應用於研究半導體中的雜質缺陷態，如施主 受主 缺陷 深能級雜...
會議音響的音訊受哪些因素的影響？
會議音響主要是中高音好，適合人說話使用。話筒質量高，人聲好聽。請問會議音響有哪些特點？一 盤繞性。將會議音響體系裝置於會議室許多人便是看中了它的盤繞性特色，因為會議室是一個比較大的而且密閉性空間很好的室內環境這就要求在其間時享受到專業的音響體會，會議音響體系的盤繞性特色很好的滿意了許多工作人員在室內...
孩子未來的成功，受哪些因素影響呢？
孩子未來的教育受家庭，學校和社會的影響。良好的家風和成長環境可以培養孩子良好的性格，學校的教育幫助孩子學習更多知識，社會文化也潛移默化地影響著孩子的為人處事能力。這些因素都會影響孩子未來的成功。受到很多因素的影響。會受到家庭環境的影響，會受到家庭教育的影響，會受到學校教育的影響，還會受到社會環境的影...