薄膜的沉積技術，金屬薄膜的沉積速率一般是多少

1樓：初見專屬

將金屬薄層沉積到襯底或之前獲得的薄層的技術稱為表面沉積。這裡的「薄」是一個相對的概念，但大多數的沉積技術都可以將薄層厚度控制在幾個到幾十奈米尺度的範圍內，分子束外延技術可以得到單一原子層的結構。

沉積技術在光學儀器（消反射膜，減反射膜，自清潔表面等）、電子技術（薄膜電阻，半導體，積體電路）、包裝和現代藝術都有應用。在對薄膜厚度要求不高時，類似於沉積的技術常常被使用。例如：

用電解法提純銅，矽沉積，鈾的提純中都用到了類似於化學氣象沉積的過程。

沉積技術根據其使用的主要原理可分為兩大類：物理沉積和化學沉積。

2樓：耀少心瓶遊發

薄膜沉積（鍍膜）是在基底材料上形成和沉積薄膜塗層的過程，在基片上沉積各種材料的薄膜是微納加工的重要手段之一，薄膜具有許多不同的特性，可用來改變或改善基材效能的某些要素。例如，透明，耐用且耐刮擦；增加或減少電導率或訊號傳輸等。薄膜沉積厚度範圍從奈米級到微米級。

薄膜沉積是許多光電、固態和醫療裝置及產品生產中的重要製造步驟，包括消費電子產品、半導體鐳射器、光纖鐳射器、led 顯示器、濾光片、化合物半導體、精密光學、顯微鏡和微量分析樣品載玻片和醫療植入物。

微納加工中最常用的薄膜沉積工藝是物理氣相沉積（pvd）與化學氣相沉積（cvd）。

金屬薄膜的沉積速率一般是多少

3樓：閱讀與表達

沉積速率跟好多因素有關，離子鍍的話，一般1微米/小時。（跟靶功率有關係）

具體計算方法可以參考：

沉積速率與諸多因素有關可定性的表示為q=csi

q為沉積速率，c為常數，s為濺射產額，i為放電電流。凡是影響濺射產額的因素都對沉積速率有影響，濺射產額是個必要條件，諸多因素中，最主要的有幾個：

1、外加功率對沉積速率的影響：陰陽極的距離確定、放電處於反常輝光放電區（電壓升高電流加大）條件下，沉積速率與加在陰極上的功率成正比；

2、沉積速率與放電電流的關係：提高放電電流的最有效途徑是適當提高濺射氣體壓強；

3、基體與陰極靶之間的相對位置：在不影響陰極暗區的前提下，陰陽極間的距離越近，沉積速率越大。（但厚薄均勻性下降，--指靶及基體固定不變時）

4、氣體壓強對沉積速率的影響：沉積速率與氣體壓強不是線性關係，低氣體壓強時，正離子少，濺射產額低，沉積速率低；隨氣體壓強升高，正離子增多，濺射產額提高，沉積速率上升；在某一個氣體壓強時達到最大值；繼續提高氣體壓強，沉積速率開始下降。

如何測試物理沉積（pvd）薄膜的膜厚

4樓：匿名使用者

橢偏儀或者光度計 sem都可以測量。

用什麼軟體模擬薄膜的沉積過程比較好

5樓：數控程式設計達人

可以通過以下方法解決問題：

1、使用ug軟體即可。

薄膜沉積和金屬鹽沉積需要什麼儀器

6樓：匿名使用者

薄膜沉積的裝置有好多種，具體應用條件要看使用的溫度和對薄膜效能的要求。

金屬薄膜的話pvd就好了，介質薄膜可以使用cvd，裡面又分為很多種，我只對pecvd還比較瞭解。

金屬鹽沉積的mocvd應該可以。