1樓：8草裡的滾滾
記憶體和nor型快閃記憶體的基本儲存單元是bit，使用者可以隨機訪問任何一個bit的資訊。而nand型快閃記憶體的基本儲存單元是頁（page）（可以看到，nand型快閃記憶體的頁就類似硬碟的扇區，硬碟的一個扇區也為512位元組）。每一頁的有效容量是512位元組的倍數。
所謂的有效容量是指用於資料儲存的部分，實際上還要加上16位元組的校驗資訊，因此我們可以在快閃記憶體廠商的技術資料當中看到「（512+16）byte」的表示方式。目前2gb以下容量的nand型快閃記憶體絕大多數是（512+16）位元組的頁面容量，2gb以上容量的nand型快閃記憶體則將頁容量擴大到（2048+64）位元組。
nand型快閃記憶體以塊為單位進行擦除操作。快閃記憶體的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有資料，必須先擦除後寫入，因此擦除操作是快閃記憶體的基本操作。一般每個塊包含32個512位元組的頁，容量16kb；而大容量快閃記憶體採用2kb頁時，則每個塊包含64個頁，容量128kb。
每顆nand型快閃記憶體的i/o介面一般是8條，每條資料線每次傳輸（512+16）bit資訊，8條就是（512+16）×8bit，也就是前面說的512位元組。但較大容量的nand型快閃記憶體也越來越多地採用16條i/o線的設計，如三星編號k9k1g16u0a的晶片就是64m×16bit的nand型快閃記憶體，容量1gb，基本資料單位是（256+8）×16bit，還是512位元組。
定址時，nand型快閃記憶體通過8條i/o介面資料線傳輸地址資訊包，每包傳送8位地址資訊。由於快閃記憶體晶片容量比較大，一組8位地址只夠定址256個頁，顯然是不夠的，因此通常一次地址傳送需要分若干組，佔用若干個時鐘週期。nand的地址資訊包括列地址(頁面中的起始操作地址)、塊地址和相應的頁面地址，傳送時分別分組，至少需要三次，佔用三個週期。
隨著容量的增大，地址資訊會更多，需要佔用更多的時鐘週期傳輸，因此nand型快閃記憶體的一個重要特點就是容量越大，定址時間越長。而且，由於傳送地址週期比其他儲存介質長，因此nand型快閃記憶體比其他儲存介質更不適合大量的小容量讀寫請求。
2樓：匿名使用者
看這兒吧， pdosgk說得很清楚：
什麼叫nand快閃記憶體？什麼叫nor快閃記憶體？ 這兩者有什麼區別？
3樓：教育達人小嫣
nand快閃記憶體是一種非易失性儲存技術，即斷電後仍能儲存資料。它的發展目標就是降低每位元儲存成本、提高儲存容量。nor flash是一種非易失快閃記憶體技術，是intel在2023年建立。
區別1、快閃記憶體晶片讀寫的基本單位不同
應用程式對nor晶片操作以「字」為基本單位。為了方便對大容量nor快閃記憶體的管理，通常將nor快閃記憶體分成大小為128kb或者64kb的邏輯塊，有時候塊內還分成扇區。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移。
應用程式對nand晶片操作是以「塊」為基本單位。nand快閃記憶體的塊比較小，一般是8kb，然後每塊又分成頁，頁的大小一般是512位元組。要修改nand晶片中一個位元組，必須重寫整個資料塊。
2、應用不同
nor快閃記憶體是隨機儲存介質，用於資料量較小的場合；nand快閃記憶體是連續儲存介質，適合存放大的資料。
3、速度不同
n an d快閃記憶體晶片因為共用地址和資料匯流排的原因，不允許對一個位元組甚至一個塊進行的資料清空，只能對一個固定大小的區域進行清零操作；而nor晶片可以對字進行操作。所以在處理小資料量的i/o操作的時候的速度要快與nand的速度。
4樓：
一般快閃記憶體可分為二大規格，一是nand，一是nor.
簡單的來說，nand規格快閃記憶體像硬碟，以儲存資料為主，又稱為data flash，晶片容量大，目前主流容量已達二gb；nor規格記憶體則類似dram，以儲存程式**為主，又稱為co deflash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二mb。
nand規格與nor規格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很大的區分，nand規格晶片寫入與清除資料的速度遠快於nor規格，但是nor規格晶片在讀取資料的速度則快於nand規格。nand規格晶片多應用在小型記憶卡，以儲存資料為主，nor規格則多應用在通訊產品中。
5樓：匿名使用者
這裡很詳細 你點開看吧！
什麼是快閃記憶體
6樓：酷悟集
快閃記憶體是一種電子式可清除程式化只讀儲存器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的非易失性儲存器。這種科技主要用於一般性資料儲存，以及在計算機與其他數字產品間交換傳輸資料，如儲存卡與u盤。因為快閃記憶體不像ram一樣以位元組為單位改寫資料，因此不能取代ram。
快閃記憶體的基本單元電路由雙層浮空柵mos管組成。第一層柵介質很薄，作為隧道氧化層。在第二級浮空柵加以正電壓，使電子進入第一級浮空柵。
擦除方法是在源極加正電壓利用第一級浮空柵與源極之間的隧道效應，把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。
7樓：終瀅鬱淑
快閃記憶體：「閃」，比喻「快」的意思，一「閃」就完成了；「存」，是「儲存」的意思。能夠快速讀寫的儲存器的意思。u盤、儲存卡都屬於「快閃記憶體」。
8樓：鬱沛若泣照
快閃記憶體（flash
memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所儲存的資料資訊）的儲存器，資料刪除不是以單個的位元組為單位而是以固定的區塊為單位（注意：nor
flash
為位元組儲存。），區塊大小一般為256kb到20mb。快閃記憶體是電子可擦除只讀儲存器（eeprom）的變種，快閃記憶體與eeprom不同的是，它能在位元組水平上進行刪除和重寫而不是整個晶片擦寫，這樣快閃記憶體就比eeprom的更新速度快。
由於其斷電時仍能儲存資料，快閃記憶體通常被用來儲存設定資訊，如在電腦的bios（基本輸入輸出程式）、pda（個人數字助理）、數碼相機中儲存資料等。
9樓：匿名使用者
有種u盤叫快閃記憶體嘿嘿！
內建nand快閃記憶體是什麼意思
10樓：哆基卟
150m是機身帶的儲存空間。系統執行，要看執行記憶體(ram)。95開機後，可用運存也就20多m，85大概70m左右。
塞班系統 這個運存的大小對於執行速度影響不大，主要影響在於能同時開的軟體數量。20m的話一般軟體能開五六個，大的像ng遊戲 開一個就滿了。70m就很富裕，能開很多東西。
nand不是十分了解，他應該是在耗能和讀取速度等更優。
11樓：匿名使用者
n85 2600的錢..買了2100的n95？？
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nand是 快閃記憶體晶片...n95 8g內建就是..n85沒有啊..那即使m的不算nand...nand都是按g算的
什麼是nand晶片？
12樓：小柯師傅
同學，你是學微電子的麼？要了解nand晶片就要了解nand和nor儲存晶片內部的結構單元，瞭解浮柵原理，才能對它有深入的瞭解。
樓上提的都是這兩種晶片的特點，可能還沒達到你的要求，我來補充下吧。
如圖所示，
nand比nor晚開發出來，在基本單元結構上，nand 是用的閘流體(含浮柵）源極漏極首尾串聯的形式，比如32個閘流體串聯稱為一個塊block，擦除和程式設計必須以這個最小單元操作。優點你可以從圖上看出來，儲存密度大大提升（雖然閘流體數量並沒少,佈線空間節省了)。缺點也很明顯，一個閘流體壞了，一個塊全壞，所以用nand的話軟體上要做很多糾錯，比如ecc.
由於每個閘流體沒有單獨的bit line,所以讀速度大受影響，隨機讀速度只能達到25us(微秒級).但擦除比較快。
而nor呢，每個閘流體(含浮柵）都連線bit line和word line,所以可以做到隨機訪問，隨機讀速度可以達到60~70ns(納秒級).但nor的缺點是擦除很慢，原因就是它不能一個塊一個塊擦。
基本結構上就是這個差別，也就是最基本的差別。衍生出來當然又更多不同，比如nand介面沒有地址線，nor介面含完整地址線，相容sram操作。nand通常用來儲存資料而不是放程式檔案，因為程式檔案大量用到隨機存取，而這個是nand不擅長的。
我這裡有一份nand的資料，是toshiba的資料，你如果需要更詳細的，在裡面能找到答案，留下郵箱我可以發給你~~
13樓：匿名使用者
快閃記憶體的兩種型別：nor型與nand型。nor型與nand型快閃記憶體的區別很大，打個比方說，nor型快閃記憶體更像記憶體，有獨立的地址線和資料線，但**比較貴，容量比較小；而nand型更像硬碟，地址線和資料線是共用的i/o線，類似硬碟的所有資訊都通過一條硬碟線傳送一般，而且nand型與nor型快閃記憶體相比，成本要低一些，而容量大得多。
因此，nor型快閃記憶體比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用於儲存程式**並直接在快閃記憶體內執行，手機就是使用nor型快閃記憶體的大戶，所以手機的「記憶體」容量通常不大；nand型快閃記憶體主要用來儲存資料，我們常用的快閃記憶體產品，如快閃記憶體盤、數碼儲存卡都是用nand型快閃記憶體。
14樓：道峰山營
nand晶片是採用nand-flash記憶體的晶片。
nand-flash記憶體是flash記憶體的一種，其內部採用非線性巨集單元模式，為固態大容量記憶體的實現提供了廉價有效的解決方案。nand-flash儲存器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用於大量資料的儲存，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、***隨身聽記憶卡、體積小巧的u盤等。
2023年，東芝公司發表了nand flash結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕鬆升級。
nand快閃記憶體和ufs快閃記憶體的區別
15樓：蝸牛p科技
前者lpddr4為ram（運存）引數，對應電腦中的記憶體，基本上要在2000左右價位的手機上配備（2000以下價值的主要是zuk z2、小米5之類的手機上用了，大多是在2000以上價位）。
後者ufs2.1為rom（快閃記憶體）引數，對應電腦中的硬碟，全球首發的是華為mate9（海思麒麟960處理器）。至於ufs2.
0的手機倒有一批，主要是高通驍龍，特別是82x（820、821）系列的手機上出現了。
16樓：熱情的大春
ufs是一種高速的介面，儲存的核心還是nand flash顆粒，如ufs的結構圖：
快閃記憶體是什麼？
移動快閃記憶體是什麼意思，快閃記憶體屬性403是什麼意思
移動快閃記憶體是指行動式儲存介質為快閃記憶體晶片的儲存器。移動儲存指行動式的資料儲存裝置，儲存介質使用快閃記憶體晶片 nand flash 的移動儲存器。一般指u盤。移動固態硬碟。注意。行動硬碟不屬於移動快閃記憶體。行動硬碟儲存介質和普通硬碟一樣。是玻璃碟片。機械架構。固態硬碟用的才是快閃記憶體。行...
有關快閃記憶體盤的問題
快閃記憶體最關鍵的限制可能是寫 擦除週期數有限，而讀週期數大大超過寫週期數 一般為寫週期數的10倍 另外快閃記憶體可以一個位元組或一個字一次進行讀或程式設計，但擦除必須是一次進行一個完整的塊，將塊中的所有位重新置位為1。這意味著需要花更多時間進行程式設計。例如，如果將一位 0 寫入一個塊，要對該塊重...
請教硬碟和快閃記憶體的差別
硬碟和快閃記憶體的差別主要體現在使用壽命不同 輸出介面不同 效能不同 容量不同。1 使用壽命不同 硬碟的使用壽命要高於快閃記憶體，因為快閃記憶體是有使用次數壽命的，如100萬次寫入等。2 輸出介面不同 快閃記憶體通常的輸出介面是usb，固態硬碟是sata介面或其他介面，比如sata固態硬碟 msat...