1樓：匿名使用者
目前太陽能板主要是單晶或多晶矽
非晶矽的用於電子或科研方面的多
怎麼區分單晶和多晶：
多晶矽是生產單晶矽的直接原料，是當代人工智慧、自動控制、資訊處理、光電轉換等半導體器件的電子資訊基礎材料。被稱為「微電子大廈的基石」。
在太陽能利用上，單晶矽和多晶矽也發揮著巨大的作用。雖然從目前來講，要使太陽能發電具有較大的市場，被廣大的消費者接受，就必須提高太陽電池的光電轉換效率，降低生產成本。從目前國際太陽電池的發展過程可以看出其發展趨勢為單晶矽、多晶矽、帶狀矽、薄膜材料（包括微晶矽基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。
從工業化發展來看，重心已由單晶向多晶方向發展，主要原因為；[1]可**太陽電池的頭尾料愈來愈少；[2] 對太陽電池來講，方形基片更合算，通過澆鑄法和直接凝固法所獲得的多晶矽可直接獲得方形材料；[3]多晶矽的生產工藝不斷取得進展，全自動澆鑄爐每生產週期（50小時）可生產200公斤以上的矽錠，晶粒的尺寸達到釐米級；[4]由於近十年單晶矽工藝的研究與發展很快，其中工藝也被應用於多晶矽電池的生產，例如選擇腐蝕發射結、背表面場、腐蝕絨面、表面和體鈍化、細金屬柵電極，採用絲網印刷技術可使柵電極的寬度降低到50微米，高度達到15微米以上，快速熱退火技術用於多晶矽的生產可大大縮短工藝時間，單片熱工序時間可在一分鐘之內完成，採用該工藝在100平方釐米的多晶矽片上作出的電池轉換效率超過14％。據報道，目前在50～60微米多晶矽襯底上製作的電池效率超過16％。利用機械刻槽、絲網印刷技術在100平方釐米多晶上效率超過17％，無機械刻槽在同樣面積上效率達到16％，採用埋柵結構，機械刻槽在130平方釐米的多晶上電池效率達到15.
8％單晶矽和多晶矽的區別是，當熔融的單質矽凝固時,矽原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶矽。如果這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶矽。多晶矽與單晶矽的差異主要表現在物理性質方面。
例如在力學性質、電學性質等方面，多晶矽均不如單晶矽。多晶矽可作為拉制單晶矽的原料。單晶矽可算得上是世界上最純淨的物質了，一般的半導體器件要求矽的純度六個9以上。
大規模積體電路的要求更高，矽的純度必須達到九個9。目前，人們已經能製造出純度為十二個9 的單晶矽。單晶矽是電子計算機、自動控制系統等現代科學技術中不可缺少的基本材料
非晶矽太陽能光伏電池好還是單晶矽太陽能電池板好？
2樓：咱就是過路的
如果光照充足還是單晶矽太陽能電池板好，如果是光照不足首選非晶矽太陽能電池好單晶矽轉換效率是18%非晶矽轉換效率是10%左右但非晶矽弱光充電好於單晶矽。
3樓：小歆嵩
根據需要來決定, 他們都有各自的優缺點。
單晶矽: 轉換率高決定其同樣功率面積比非晶矽小,。
非晶矽: 同樣功率,面積比單晶矽大, 但是它**更低, 更大的優勢是對弱光吸收性好, 同樣功率的非晶矽與單晶矽比, 一年下來要多發電12%左右。
4樓：匿名使用者
非晶矽太陽能光伏電池的轉換效率較低，優勢是外觀美觀，單晶矽太陽能電池板是光伏電池板裡轉換效率最高的太陽能電池板，相對來說，單晶矽太陽能電池板更適合。
為什麼非晶矽太陽能板比晶矽太陽能板還便宜 5
5樓：
轉化效率低：晶矽的轉化效率比非晶矽高約一倍，也就是說發1kwh的電能，非晶矽需要兩倍的佔地面積
壽命短：行業一般認為非晶矽的壽命為20年，而晶矽25年
這些明顯的劣勢導致非晶矽的**短時間內還不會高於晶矽
6樓：匿名使用者
1.「非晶矽太陽能板比晶矽太陽能板還便宜」是指直接材料成本。
2. 非晶矽的裝置初投資是巨大的，給產品帶來的折舊分攤較大，造成實際**比材料成本高出不少。
3. 對於使用者而言，投入產出比是重要的評價指標。在系統發電率（不是光電效率）近似的條件下，系統造價對光伏專案的內部收益率影響最大。
4. 在相同系統功率下，非晶矽面積大，與面積有關的成本會跟著增加（如支架和安裝）。要達到系統**近似的效果，元件必須要便宜。
目前來看晶體矽已經很便宜了（10元/瓦以下），非晶矽的**壓力很大。
5. 除非特定的應用場合，否則非晶矽必須比晶體矽低至少3元/瓦，才能在系統上持平，這還不包括系統的佔地面積成本。
7樓：
非晶就是不用矽晶，原材料是生產副產物，而晶片的**就不是一般的貴了。
但是非晶目前的傳輸效率不高
如何識別非晶矽太陽能電池？與多晶矽有啥區別 10
8樓：等待嬌花的粑粑
你這問題就錯了，太陽能板也就是光伏板才是用矽片製作的，單晶矽轉化率比多晶矽高一點，**也高一點。電池分為膠體免維護蓄電池 三元鋰電池等等
有人在用非晶矽太陽能板發電嗎？
9樓：匿名使用者
有啊，但是用單晶矽會好點，陰天也能發電，多晶矽估計就比較難咯，我幾家房子安裝的都是碩耐光能的單晶矽的，起碼冬天的時候也能發電
10樓：匿名使用者
用非晶矽太陽能板發電有的
非晶矽薄膜太陽能電池板的功率是多少?
11樓：匿名使用者
根據工藝不同，有效面積光電轉換效率6-8%（也就是元件功率為60-80瓦/平米）
其中高的都是下疊層摻了鍺的，再高就要做微晶了。
**都是按照功率計的，大約7~8元/瓦
非晶矽是沉積工藝生產的，沉積爐的尺寸限制了產品的尺寸。
因此，買到的產品基本上是定尺的。
非晶矽和晶體矽穩定性是怎樣的？有矽太陽能電池，不是說單質矽不存在嗎？困惑ing,謝謝解疑
12樓：匿名使用者
單質矽不存在自然界，需要從矽氧化物人工提煉出來；
非晶矽的衰減比較嚴重，穩定性大不如晶體矽
非晶矽與單晶矽和多晶矽的太陽能電池板區別？各自的優越性等
13樓：咕咚萌西
1、外觀區別
單晶矽電池的四個角呈現圓弧狀，表面沒有花紋；
多晶矽電池的四個角呈現方角，表面有類似冰花一樣的花紋；
非晶矽電池也就是我們平時說的薄膜元件，它不像晶矽電池可以看出來柵線，表面就如同鏡子一般清晰、光滑；
2、使用上面的區別
對於使用者來說，單晶矽電池和多晶矽電池沒有太大的區別，它們的壽命和穩定性都很好。
雖然單晶矽電池平均轉換效率要比多晶矽高1%左右，但由於單晶矽電池只能做成準正方形（四邊都是圓弧狀），因此當組成太陽能電池板的時候就會有一部分面積填不滿；而多晶矽是正方形，所以不存在這樣的一個問題，它們的優缺點具體如下：
晶矽元件：單塊元件功率相對較高。同樣佔地面積下，裝機容量要比薄膜元件高。但元件厚重易碎，高溫效能較差，弱光性差，年度衰減率高。
薄膜元件：單塊元件功率相對略低。但發電效能高，高溫效能佳，弱光效能好，陰影遮擋功率損失較小，年度衰減率低。應用環境廣泛，美觀，環保。
3、製造工藝區別
多晶矽太陽能電池製造過程中消耗的能量要比單晶矽太陽能電池少30%左右；
因此多晶矽太陽能電池佔全球太陽能電池總產量的份額大，製造成本也小於單晶矽電池，所以使用多晶矽太陽能電池將會更加的節能、環保；
非晶矽太陽電池的方法有很多種，包括等離子增強型化學氣相沉積，反應濺射法、輝光放電法、電子束蒸發法和熱分解矽烷法等。
14樓：南霸天
單晶矽太陽電池
單晶矽太陽電池是當前開發得最快的一種太陽電池，它的構成和生產工藝已定型，產品已廣泛用於宇宙空間和地面設施。這種太陽電池以高純的單晶矽棒為原料，純度要求99.9999％。
為了降低生產成本，現在地面應用的太陽電池等採用太陽能級的單晶矽棒，材料效能指標有所放寬。有的也可使用半導體器件加工的頭尾料和廢次單晶矽材料，經過復拉制成太陽電池專用的單晶矽棒。將單晶矽棒切成片，一般片厚約0.
3毫米。矽片經過成形、拋磨、清洗等工序，製成待加工的原料矽片。
加工太陽電池片，首先要在矽片上摻雜和擴散，一般摻雜物為微量的硼、磷、銻等。擴散是在石英管制成的高溫擴散爐中進行。這樣就在矽片上形成p/n結。
然後採用絲網印刷法，將配好的銀漿印在矽片上做成柵線，經過燒結，同時製成背電極，並在有柵線的面塗覆減反射源，以防大量的光子被光滑的矽片表面反射掉，至此，單晶矽太陽電池的單體片就製成了。
單體片經過抽查檢驗，即可按所需要的規格組裝成太陽電池元件（太陽電池板），用串聯和並聯的方法構成一定的輸出電壓和電流，最後用框架和封裝材料進行封裝。使用者根據系統設計，可將太陽電池元件組成各種大小不同的太陽電池方陣，亦稱太陽電池陣列。目前市場上的單晶矽太陽電池的光電轉換平均效率為19％左右，個別公司最近推出的新產品普遍都超出這個值。
實驗室成果普遍在20％以上。用於宇宙空間站的還有高達50%以上的太陽能電池板。
多晶矽太陽電池
單晶矽太陽電池的生產需要消耗大量的高純矽材料，而製造這些材料工藝複雜，電耗很大，在太陽電池生產總成本中己超二分之一，加之拉制的單晶矽棒呈圓柱狀，切片製作太陽電池也是圓片，組成太陽能元件平面利用率低。因此，80年代以來，歐美一些國家投入了多晶矽太陽電池的研製。 目前太陽電池使用的多晶矽材料，多半是含有大量單晶顆粒的集合體，或用廢次單晶矽料和冶金級矽材料熔化澆鑄而成。
其工藝過程是選擇電阻率為100～300歐姆釐米的多晶塊料或單晶矽頭尾料，經破碎，用1：5的氫氟酸和硝酸混合液進行適當的腐蝕，然後用去離子水沖洗呈中性，並烘乾。用石英坩堝裝好多晶矽料，加人適量硼矽，放人澆鑄爐，在真空狀態中加熱熔化。
熔化後應保溫約20分鐘，然後注入石墨鑄模中，待慢慢凝固冷卻後，即得多晶矽錠。這種矽錠可鑄成立方體，以便切片加工成方形太陽電池片，可提高材質利用率和方便組裝。
多晶矽太陽電池的製作工藝與單晶矽太陽電池差不多，其光電轉換效率約12％左右，稍低於單晶矽太陽電池，但是材料製造簡便，節約電耗，總的生產成本較低，因此得到大量發展。隨著技術得提高，目前多晶矽的轉換效率也可以達到18%左右。
非晶矽太陽電池
非晶矽太陽電池是2023年有出現的新型薄膜式太陽電池，它與單晶矽和多晶矽太陽電池的製作方法完全不同，矽材料消耗很少，電耗更低，非常吸引人。製造非晶矽太陽電池的方法有多種，最常見的是輝光放電法，還有反應濺射法、化學氣相沉積法、電子束蒸發法和熱分解矽烷法等。輝光放電法是將一石英容器抽成真空，充入氫氣或氬氣稀釋的矽烷，用射頻電源加熱，使矽烷電離，形成等離子體。
非晶矽膜就沉積在被加熱的襯底上。若矽烷中摻人適量的氫化磷或氫化硼，即可得到n型或p型的非晶矽膜。襯底材料一般用玻璃或不鏽鋼板。
這種製備非晶矽薄膜的工藝，主要取決於嚴格控制氣壓、流速和射頻功率，對襯底的溫度也很重要。
非晶矽太陽電池的結構有各種不同，其中有一種較好的結構叫pin電池，它是在襯底上先沉積一層摻磷的n型非晶矽，再沉積一層未摻雜的i層，然後再沉積一層摻硼的p型非晶矽，最後用電子束蒸發一層減反射膜，並蒸鍍銀電極。此種製作工藝，可以採用一連串沉積室，在生產中構成連續程式，以實現大批量生產。同時，非晶矽太陽電池很薄，可以製成疊層式，或採用積體電路的方法制造，在一個平面上，用適當的掩模工藝，一次製作多個串聯電池，以獲得較高的電壓。
因為普通晶體矽太陽電池單個只有0.5伏左右的電壓，現在日本生產的非晶矽串聯太陽電池可達2.4伏。
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