1樓：網友
記憶體延遲實際上指的是系統需要等待多長時間，記憶體才能做好傳送或接收資料的準備。處理器等待的時間越短，整機的效能就越高。
這個準則在intel以及則孫amd的平臺上都適用，同時現在也沒有比2-2-2-5更低的記憶體延遲，記憶體標準組織jedec認為以目前的動態記憶體技術還無法實現0或1的延遲。
記憶體延遲最直接的表現就是4個連著的數字（比如2-2-2-5），其中：
第乙個薯派數字「2」表示cas延遲，這也是最重要的乙個引數；
第二個數字「2」表示ras-cas延遲，第三個數字「2」孫手鍊表示ras預充電時間（ras precharge）；
第四個數字「5」表示act-to-precharge延遲，通常是最後也是最大的乙個數字。
2樓：來自桃花谷果斷的龍蝦
記憶體延遲基本上可以解釋成是系統進入資料答含巨集進行存取操作就緒狀清冊態前等待記憶體響應的時間。
裡有自己看吧老兆。
記憶體超4000延遲多少正常
3樓：熊阿龍
記憶體超4000延遲3到5秒正常。按正常延時在3到5秒屬於正常，記憶體的cl值也不可能消除，一般來說頻率相同的記憶體cl值越小效能就越高。
記憶體延遲表示系統進入資料存取操作就緒狀態前等待記憶體響應的時間，一般而言四個數中越往後值越大，這4個數字越小，表示記憶體效能越好，因此國際記憶體標準組織認為以現在的動態記憶體技術還無法實現0或者1的延遲。
記憶體延遲的意義
記憶體延遲時間有個專門的術語叫latency。要形象的瞭解延遲，我們不妨把記憶體當成乙個儲存著資料的陣列，或者乙個excel**，要確定每個資料的位置，每個資料都是以行和列編排序號來標示，在確定了行、列序號之後該資料就唯一了。
記憶體工作時，在要讀取或寫入某資料，記憶體控制晶元會先把資料的行位址傳送過去，這個ras訊號row address strobe，行位址訊號就被啟用，而在轉化到行資料前，需要經過幾個執行週期，然後接下來cas訊號column address strobe，譽蠢笑列位址訊號被啟用。
在ras訊號和cas訊號之間的幾個執行週期就是ras-to-cas延遲時間。在cas訊號被執行之後同樣也需要幾個執行週期。此執行週期在使用標準pc133的sdram大約是2到3個週期，而ddr ram則是4到5個週期。
在ddr中，真正的cas延遲時間則是2到個執行週期。ras-to-cas的慶含時間則視技術而定，大檔攜約是5到7個週期，這也是延遲的基本因素。
記憶體延遲到底是多少
4樓：網友
只寫cl延時是因為其對效能影響最大。
cl延遲：9 說明cas line 延時是9 ns, 至於trp，trcd，tras 這幾個引數的延時沒給給出是不知道的。
cl-trp-trcd-tras一般在記憶體條的封條上有，或者進入bios 可以看到，但bios 中cl 不一定是記憶體物理的真實值，bios 中取的是多通道記憶體中最慢的cl 值。
1600mhz 的cl 延時有：9，8，7和6 四種。1600mhz 時鐘週期是，所以這四種cl 延時對應的first word延時應該是兩者的乘積：，10ns， 和。
估計你擔心的是9 這個數字作為延時是不是太高了（我記得ddr 和ddr2 cl延時都還是2-6），實際上記憶體資料傳輸率（1600mhz）高了，時鐘週期也減小了，cl 延時變大對效能的影響不大。
記憶體條延遲描述怎麼看
5樓：匿名使用者
延遲描述(cl)：
cl反應時間是衡定記憶體的另卜猛乙個標誌。坦鉛cl是cas latency的縮寫，指的是記憶體存取資料所需的延遲時間，簡單的說，就是記憶體接到cpu的指令後型信橋的反應速度。一般的引數值是2和3兩種。
數字越小，代表反應所需的時間越短。在早期的pc133記憶體標準中，這個數值規定為3，而在intel重新制訂的新規範中，強制要求cl的反應時間必須為2，這樣在一定程度上，對於記憶體廠商的晶元及pcb的組裝工藝要求相對較高，同時也保證了更優秀的品質。因此在選購品牌記憶體時，這是乙個不可不察的因素。
通常情況下，我們用4個連著的阿拉伯數字。
來表示乙個記憶體延遲，例如2-2-2-5。其中，第乙個數字最為重要，它表示的是cas latency,也就是記憶體存取資料所需的延遲時間。第二個數字表示的是ras-cas延遲，接下來的兩個數字分別表示的是ras預充電時間和act-to-precharge延遲。
而第四個數字一般而言是它們中間最大的乙個。
記憶體引數中的時延是什麼意思
6樓：it風雲說
記憶體時序到底是什麼意思？越大越好？還是越小越好呢？
7樓：網友
記憶體延遲表示系統進入資料存取操作就緒狀態前等待記憶體響應的時間，它通常用4個連著的阿拉伯數字來表示，例如「3-4-4-8」，一般而言四個數中越往後值越大，這4個數字越小，表示記憶體效能越好。
第乙個數字最為重要，表示註冊讀取命令到第乙個輸出資料之間的延遲（cas latency），即cl值，單位是時鐘週期。這是縱向位址脈衝的反應時間。 第二個數字表示 記憶體行位址控制器預充電時間（ras precharge），即trp。
指記憶體從結束乙個行訪問到重新開始的間隔時間。
第三個數字表示從記憶體行位址到列位址的延遲時間（ras to cas delay），即trcd。
第四個數字表示記憶體行位址控制器啟用時間act-to-precharge precharge delay（tras
記憶體延遲時間問題
8樓：柯小樣
例如抄2-2-2-5。其中，第乙個數字最為重要，它襲表示的是cas latency，也就是。
bai記憶體du存取資料所需的延遲時zhi
間。第二個數字表示的dao是ras-cas延遲，接下來的兩個數字分別表示的是ras預充電時間和act-to-precharge延遲。而第四個數字一般而言是它們中間最大的乙個。
9樓：匿名使用者
這個除了記憶體本身的問題，那就是主機板裡的設定問題了，你在主機板bios裡把記憶體引數設定為手動，然後自己調。
記憶體延遲的操作方法
10樓：甜大
舉個例子來計算一下總延遲時間，比如一條ddr333記憶體其存取時間為6ns，而其記憶體時鐘週期為6ns（ddr記憶體時鐘週期=1x2/記憶體頻率，ddr400記憶體頻率為400，則可計算出其時鐘週期為5ns）。我們在主機板的bios中將其cl設定為，則總的延遲時間=6ns ，而如果cl設定為2，那麼總的延遲時間=6ns x2+6ns=18 ns，就減少了3ns的時間。
從總的延遲時間來看，cl值的大小起到了很關鍵的作用。所以對系統要求高和喜歡超頻的使用者通常喜歡購買cl值較低的記憶體。目前各記憶體顆粒廠商除了從提高記憶體時脈頻率來提高ddr的效能之外，已經考慮通過更進一步的降低cas延遲時間來提高記憶體效能。
不過，並不是說cl值越低效能就越好，因為其它的因素會影響這個資料。例如，新一代處理器的快取記憶體較有效率，這表示處理器比較少地直接從記憶體讀取資料。再者，列的資料會比較常被存取，所以ras-to-cas的發生幾率也大，讀取的時間也會增多。
最後，有時會發生同時讀取大量資料的情形，在這種情形下，相鄰的記憶體資料會一次被讀取出來，cas延遲時間只會發生一次。
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