1樓：
當二極體反向接通時,電源的正極方向,即電場方向,會把p型材料中的空穴,從pn結壓向p的一方.同時n型材料中的電子,會被電場吸向n的一方,離開pn結,使電路斷開.而不能導通.
當二極體正向接通時.電源的正極方向,即電場方向會把p型材料中的自由空穴,壓向pn結.同時會把n型材料的自由電子吸向pn結,使電路導通.
明白了嗎？希望油柑網能幫到你解答問題。
2樓：
阿柑君，油柑網跟你分享：晶體二極體工作原理
《一》電源的正極方向與電流方向和電場方向相同.與導線中的電子方向相反.《二》p型材料中是能自由移動的空穴.
n型材料中是能自由移動的電子. 當二極體反向接通時,電源的正極方向,即電場方向,會把p型材料中的空穴,從pn結壓向p的一方.同時n型材料中的電子,會被電場吸向n的一方,離開pn結,使電路斷開.
而不能導通.當二極體正向接通時.電源的正極方向,即電場方向會把p型材料中的自由空穴,壓向pn結.
同時會把n型材料的自由電子吸向pn結,使電路導通.
產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極體的擊穿現象。
穩壓二極體工作時為什麼要接入限流電阻，接在二極體的哪一邊？
3樓：陳堅道
因為受穩壓二極體的額定洩放電流所限，若不接入限流電阻，電源電壓高出穩壓二極體額定值部分就通過穩壓二極體向低電位洩放，過大的電流就會擊毀穩壓二極體。
限流電阻通常從高電位接入的，與穩壓二極體負極聯接。
4樓：滑動
簡單的說就是為穩壓管提供一個合適的工作電流，使他工作在穩壓區，又不至於電流過大而燒燬。
一般都是和管子的負極相連
詳情可以參考中國電子diy之家有關資料和製作例項
二極體兩邊加正向電壓，為什麼這個電壓不能過大？是因為內電場嗎？
5樓：匿名使用者
不是。現在假定
bai有一個du電路，一個電源zhi，正向串聯一個二極dao管，一個定值電阻，形成標版準迴路。
1、正向權電壓越大，二極體的內阻一定（這個是假定，實際上隨著溫度上升，這個電阻會減小，但減小的幅度遠不如電流上升的幅度），電流越大；
2、電流越大，產生的熱量越多，導致溫度上升。
遏止電壓是光電效應實驗裡面的一個概念，就是當反向電壓為-vg的時候能夠阻止光電子到達陽極，也就是沒有光電流的產生，這個電壓就是遏止電壓。
光電效應：光電效應（photoelectriceffect）是物理學中一個重要而神奇的現象，在光的照射下，某些物質內部的電子會被光子激發出來而形成電流，即光生電。
6樓：匿名使用者
不是復。現在假定有一個制電路，一個電源，正向bai串聯一個二極體，一個定du值電阻，形成zhi標準迴路。
1、正dao向電壓越大，二極體的內阻一定（這個是假定，實際上隨著溫度上升，這個電阻會減小，但減小的幅度遠不如電流上升的幅度），電流越大；
2、電流越大，產生的熱量越多，導致溫度上升；
3、根據二極體的溫升特性，溫度越高，正向導通壓降越小，而電源電壓一定，這樣就意味著二極體可以獲得更大的電流。然後重複1。
因此，你可以判斷，正向電壓過大後，二極體會最終因為溫度過高、電流過大而燒燬。
7樓：哪壺開了
是和二du
極管內部電場有關。當正zhi向電壓dao比較小時。外部電壓不足以克服內部電場對內載流子擴散運
容動造成的阻力，電流較小，當外加電壓超過v0（死區電壓，矽管為0.5v)時,內部電場被大大削弱，正向電流隨電壓的增加成指數增加。
也可這麼說，矽二極體外加電壓小於0.5v時，動態電阻較大；大於0.5v時，動態電阻急劇減小。所謂動態電阻，是指電壓的增量除以電流的增量。
二極體為什麼具有單向導電性？
8樓：匿名使用者
首先，糾正一下你的說法，不是「二極體具有單向導電性」，應該說是「pn結具有單向導電性」。由於通常情況下的二極體具有一個pn結所以可以簡單地理解為它具有單向導電的效能，但這不是他作為二極體後具有的特性。
具體理由要從pn結開始說起：
採用不同的摻雜工藝,將p型半導體與n型半導體制作在同一塊矽片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱pn結。pn結具有單向導電性。
pn結：一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是p型半導體，另一部分摻有施主雜質是n型半導體時 ，p 型半導體和n型半導體的交介面附近的過渡區稱。pn結有同質結和異質結兩種。
用同一種半導體材料製成的 pn 結叫同質結 ，由禁頻寬度不同的兩種半導體材料製成的pn結叫異質結。製造pn結的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質結通常採用外延生長法。
在 p 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的 。n 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。
當p型和n型半導體接觸時，在介面附近空穴從p型半導體向n型半導體擴散，電子從n型半導體向p型半導體擴散。空穴和電子相遇而複合，載流子消失。因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分佈在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區 。
p 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ，n 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在介面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散 ，達到平衡。
在pn結上外加一電壓 ，如果p型一邊接正極 ，n型一邊接負極，電流便從p型一邊流向n型一邊，空穴和電子都向介面運動，使空間電荷區變窄，甚至消失，電流可以順利通過。如果n型一邊接外加電壓的正極，p型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離介面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是pn結的單向導性。
pn結加反向電壓時 ，空間電荷區變寬 ， 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將pn結燒燬。
反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿和雪崩擊穿。
pn結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。
根據pn結的材料、摻雜分佈、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用pn結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜pn結隧道效應制作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極體。使半導體的光電效應與pn結相結合還可以製作多種光電器件。
如利用前向偏置異質結的載流子注入與複合可以製造半導體鐳射二極體與半導體發光二極體；利用光輻射對pn結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個pn結之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能 。pn結是構成雙極型電晶體和場效應電晶體的核心，是現代電子技術的基礎。
希望對你有幫助
9樓：t煙花8月
二極體即是pn結，p結中摻入了3價元素，含有多數的空穴（正電荷），n結摻入了5價元素，含有多數的電子，因此pn組合到一起時，多數的空穴和多數的電子自由的定向移動，在pn結中形成了一個內部電場，該電場同時又阻止pn結的擴散運動，正向接電壓時（p接正極，n接負極），內部電場和外部電池電場疊加，加速定向移動，即電流流過，因此pn結即二極體具有單向導電性
希望對你能有所幫助。
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