記憶體DDR400是說明400 2 800MHZ嗎

2022-02-18 11:35:20 字數 2956 閱讀 8867

1樓:

ddr400 是前端匯流排``如果你的主機板支援雙通道的話`那麼你插兩根ddr400的記憶體條就是800mhz了

2樓:想知所以然

ddr就是double data rate

記憶體主頻和cpu主頻一樣,習慣上被用來表示記憶體的速度,它代表著該記憶體所能達到的最高工作頻率。記憶體主頻是以mhz(兆赫)為單位來計量的。記憶體主頻越高在一定程度上代表著記憶體所能達到的速度越快。

記憶體主頻決定著該記憶體最高能在什麼樣的頻率正常工作。目前市面上已推出的記憶體產品中最高能達到560mhz的主頻,而較為主流的是333mhz和400mhz的ddr記憶體。

大家知道,計算機系統的時鐘速度是以頻率來衡量的。晶體振盪器控制著時鐘速度,在石英晶片上加上電壓,其就以正弦波的形式震動起來,這一震動可以通過晶片的形變和大小記錄下來。晶體的震動以正弦調和變化的電流的形式表現出來,這一變化的電流就是時鐘訊號。

而記憶體本身並不具備晶體振盪器,因此記憶體工作時的時鐘訊號是由主機板晶片組的北橋或直接由主機板的時鐘發生器提供的,也就是說記憶體無法決定自身的工作頻率,其實際工作頻率是由主機板來決定的。

一般情況下記憶體的工作頻率是和主機板的外頻相一致的,通過主機板的調節cpu的外頻也就調整了記憶體的實際工作頻率。記憶體工作時有兩種工作模式,一種是同步工作模式,此模式下記憶體的實際工作頻率與cpu外頻一致,這是大部分主機板所採用的預設記憶體工作模式。另外一種是非同步工作模式,這樣允許記憶體的工作頻率與cpu外頻可存在一定差異,它可以讓記憶體工作在高出或低於系統匯流排速度33mhz,又或者讓記憶體和外頻以3:

4、4:5等,定比例的頻率上。利用非同步工作模式技術就可以避免以往超頻而導致的記憶體瓶頸問題。

舉個例子:一塊845e的主機板最大隻能支援ddr266記憶體,其主頻是266mhz,這是ddr記憶體的等效頻率,其實際工作頻率是133mhz。在正常情況下(不進行超頻),該主機板上記憶體工作頻率最高可以設定到ddr266的模式。

但如果主機板支援記憶體非同步功能,那麼就可以採用記憶體、外頻頻率以5:4的比例模式下工作,這樣記憶體的工作頻率就可以達到166mhz,此時主機板就可以支援ddr333(等效頻率333mhz,實際頻率166mhz)了。 與ddr相比,ddr2最主要的改進是在記憶體模組速度相同的情況下,可以提供相當於ddr記憶體兩倍的頻寬。

這主要是通過在每個裝置上高效率使用兩個dram核心來實現的。作為對比,在每個裝置上ddr記憶體只能夠使用一個dram核心。技術上講,ddr2記憶體上仍然只有一個dram核心,但是它可以並行存取,在每次存取中處理4個資料而不是兩個資料。

ddr2與ddr的區別示意圖

與雙倍速執行的資料緩衝相結合,ddr2記憶體實現了在每個時鐘週期處理多達4bit的資料,比傳統ddr記憶體可以處理的2bit資料高了一倍。ddr2記憶體另一個改進之處在於,它採用fbga封裝方式替代了傳統的tsop方式。

然而,儘管ddr2記憶體採用的dram核心速度和ddr的一樣,但是我們仍然要使用新主機板才能搭配ddr2記憶體,因為ddr2的物理規格和ddr是不相容的。首先是介面不一樣,ddr2的針腳數量為240針,而ddr記憶體為184針;其次,ddr2記憶體的vdimm電壓為1.8v,也和ddr記憶體的2.

5v不同。

ddr2的定義:

ddr2(double data rate 2) sdram是由jedec(電子裝置工程聯合委員會)進行開發的新生代記憶體技術標準,它與上一代ddr記憶體技術標準最大的不同就是,雖然同是採用了在時鐘的上升/下降延同時進行資料傳輸的基本方式,但ddr2記憶體卻擁有兩倍於上一代ddr記憶體預讀取能力(即:4bit資料讀預取)。換句話說,ddr2記憶體每個時鐘能夠以4倍外部匯流排的速度讀/寫資料,並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度執行。

此外,由於ddr2標準規定所有ddr2記憶體均採用fbga封裝形式,而不同於目前廣泛應用的tsop/tsop-ii封裝形式,fbga封裝可以提供了更為良好的電氣效能與散熱性,為ddr2記憶體的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起ddr的發展歷程,從第一代應用到個人電腦的ddr200經過ddr266、ddr333到今天的雙通道ddr400技術,第一代ddr的發展也走到了技術的極限,已經很難通過常規辦法提高記憶體的工作速度;隨著intel最新處理器技術的發展,前端匯流排對記憶體頻寬的要求是越來越高,擁有更高更穩定執行頻率的ddr2記憶體將是大勢所趨。

ddr2與ddr的區別:

在瞭解ddr2記憶體諸多新技術前,先讓我們看一組ddr和ddr2技術對比的資料。

1、延遲問題:

從上表可以看出,在同等核心頻率下,ddr2的實際工作頻率是ddr的兩倍。這得益於ddr2記憶體擁有兩倍於標準ddr記憶體的4bit預讀取能力。換句話說,雖然ddr2和ddr一樣,都採用了在時鐘的上升延和下降延同時進行資料傳輸的基本方式,但ddr2擁有兩倍於ddr的預讀取系統命令資料的能力。

也就是說,在同樣100mhz的工作頻率下,ddr的實際頻率為200mhz,而ddr2則可以達到400mhz。

這樣也就出現了另一個問題:在同等工作頻率的ddr和ddr2記憶體中,後者的記憶體延時要慢於前者。舉例來說,ddr 200和ddr2-400具有相同的延遲,而後者具有高一倍的頻寬。

實際上,ddr2-400和ddr 400具有相同的頻寬,它們都是3.2gb/s,但是ddr400的核心工作頻率是200mhz,而ddr2-400的核心工作頻率是100mhz,也就是說ddr2-400的延遲要高於ddr400。

2、封裝和發熱量:

ddr2記憶體技術最大的突破點其實不在於使用者們所認為的兩倍於ddr的傳輸能力,而是在採用更低發熱量、更低功耗的情況下,ddr2可以獲得更快的頻率提升,突破標準ddr的400mhz限制。

ddr記憶體通常採用tsop晶片封裝形式,這種封裝形式可以很好的工作在200mhz上,當頻率更高時,它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容,這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是ddr的核心頻率很難突破275mhz的原因。而ddr2記憶體均採用fbga封裝形式。

不同於目前廣泛應用的tsop封裝形式,fbga封裝提供了更好的電氣效能與散熱性,為ddr2記憶體的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。

ddr2記憶體採用1.8v電壓,相對於ddr標準的2.5v,降低了不少,從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量,這一點的變化是意義重大的。

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