1樓：向日葵
mos管最大持續電流=mos耐電壓/mos內阻值。
該額定電流應為負載在所有條件下可承受的最大電流。 與電壓情況類似，即使系統產生尖峰電流，也要確保所選的mos電晶體能夠承受此額定電流。 考慮的兩個當前條件是連續模式和脈衝尖峰。
在連續導通模式下，mos電晶體處於穩定狀態，此時電流繼續流經器件。
脈衝尖峰是其中大量浪湧（或尖峰電流）流過裝置的脈衝尖峰。 確定了這些條件下的最大電流後，只需選擇可承受該最大電流的裝置即可。 選擇額定電流後，還必須計算傳導損耗。
在實際情況下，mos電晶體不是理想的器件，因為在傳導過程中會損失電能，這稱為傳導損耗。
mos電晶體「導通」時，就像可變電阻一樣，由器件的rds（on）決定，並隨溫度而顯著變化。 器件的功耗可通過iload2×rds（on）計算得出。
由於導通電阻隨溫度變化，因此功耗也會成比例地變化。 施加到mos電晶體的電壓vgs越高，rds（on）越小； 否則rds（on）越高。 請注意，rds（on）電阻會隨著電流而略有上升。
2樓：布樂正
mos管最大持續電流=mos耐電壓/mos內阻值。
有許多引數會影響開關的效能，但最重要的是柵極/漏極，柵極/源極和漏極/源極電容。 這些電容器在裝置中產生開關損耗，因為每次開關時都會對其充電。 因此，降低了mos電晶體的開關速度，並且還降低了器件效率。
為了計算開關過程中器件的總損耗，需要計算導通期間的損耗（eon）和關斷期間的損耗（eoff）。 mosfet開關的總功率可以用以下公式表示：psw =（eon eoff）×開關頻率。
柵極電荷（qgd）對開關效能的影響最大。
1：雪崩失效(電壓失效)，也就是我們常說的漏源間的bvdss電壓超過mosfet的額定電壓，並且超過達到了一定的能力從而導致mosfet失效。
2：soa失效(電流失效)，既超出mosfet安全工作區引起失效，分為id超出器件規格失效以及id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。
3：體二極體失效：在橋式、llc等有用到體二極體進行續流的拓撲結構中，由於體二極體遭受破壞而導致的失效。
3樓：匿名使用者
1. 是用n溝道還是p溝道 。選擇好mos管器件的第一步是決定採用n溝道還是p溝道mos管。
在典型的功率應用中，當一個mos管接地，而負載連線到幹線電壓上時，該mos管就構 成了低壓側開關。在低壓側開關中，應採用n溝道mos管，這是出於對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當mos管連線到匯流排及負載接地時，就要用高壓側開 關。
通常會在這個拓撲中採用p溝道mos管，這也是出於對電壓驅動的考慮。確定所需的額定電壓，或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大，器件 的成本就越高。
根據實踐經驗，額定電壓應當大於幹線電壓或匯流排電壓。這樣才能提供足夠的保護，使mos管不會失效。就選擇mos管而言，必須確定漏極至源 極間可能承受的最大電壓，即最大vds。
知道mos管能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。我們須在整個工作溫度範圍內測試電壓的變化範圍。額定 電壓必須有足夠的餘量覆蓋這個變化範圍，確保電路不會失效。
需要考慮的其他安全因素包括由開關電子裝置（如電機或變壓器）誘發的電壓瞬變。不同應用的額定 電壓也有所不同；通常，行動式裝置為20v、fpga電源為20～30v、85～220vac應用為450～600v。
2. 確定mos管的額定電流。該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。
與電壓的情況相似，確保所選的mos管能承受這個額定電流，即使在系統產生 尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續模式和脈衝尖峰。在連續導通模式下，mos管處於穩態，此時電流連續通過器件。
脈衝尖峰是指有大量電湧（或尖峰電 流）流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。選好額定電流後，還必須計算導通損耗。
在實際情況 下，mos管並不是理想的器件，因為在導電過程中會有電能損耗，這稱之為導通損耗。mos管在「導通」時就像一個可變電阻，由器件的rds（on）所確 定，並隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由iload2×rds（on）計算，由於導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。
對mos管施 加的電壓vgs越高，rds（on）就會越小；反之rds（on）就會越高。注意rds（on）電阻會隨著電流輕微上升。關於rds（on）電阻的各種電 氣引數變化可在製造商提供的技術資料表中查到。
3. 選擇mos管的下一步是系統的散熱要求。須考慮兩種不同的情況，即最壞情況和真實情況。
建議採用針對最壞情況的計算結果，因為這個結果提供更大的安全餘量，能確保系統不會失效。在mos管的資料表上還有一些需要注意的測量資料；器件的結溫等於最大環境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積（結溫=最大環境溫度+［熱阻×功率耗散］）。根據這個式子可解出系統的最大功率耗散，即按定義相等於i2×rds（on）。
我們已將要通過器件的最大電流，可以計算出不同溫度下的rds（on）。另外，還要做好電路板 及其mos管的散熱。雪崩擊穿是指半導體器件上的反向電壓超過最大值，並形成強電場使器件內電流增加。
晶片尺寸的增加會提高抗雪崩能力，最終提高器件的穩健性。因此選擇更大的封裝件可以有效防止雪崩。
4. 選擇mos管的最後一步是決定mos管的開關效能。影響開關效能的引數有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。
這些電容會在器件中產生開關損耗，因為在每次開關時都要對它們充電。mos管的開關速度因此被降低，器件效率也下降。為計算開關過 程中器件的總損耗，要計算開通過程中的損耗（eon）和關閉過程中的損壞（eoff）。
mosfet開關的總功率可用如下方程表達：psw= （eon+eoff）×開關頻率。而柵極電荷（qgd）對開關效能的影響最大。
4樓：靳溪黎
主要是看datasheet，最大持續電流通過mos管，mos管的結溫不要超過規定值。（主要看你的驅動方式，散熱方式等綜合因素）
5樓：匿名使用者
mos管最大持續電流=mos耐電壓/mos內阻值。
這個是理論計算的最大值。實際一般在最大值的70-80%使用mos管不會有問題。
如何選擇開關電源上的MOS管,開關電源如何選擇合適的MOS管，MOS管主要看那些引數，Rds,Qg,Vds
1 漏極 源極耐壓vdss，一般vdss值大於mos管的d極最大尖峰10 以上為安全值，d極最大尖峰電壓指的是在ac264v輸入時測試。2 漏極連續工作電流id，例如常溫下7n60和10n60的id值分別為7a和10a，一般單電壓電源選擇2a 10w比較安全 3 漏極 源極阻抗rds，阻抗越小溫升越...
Mos管在開關電路中是怎麼工作的
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