1樓：匿名使用者
選用mos管的漏源擊穿電壓太高，那mos管的溫升會變高的，影響該器件工作的可靠性。
2樓：匿名使用者
一般來說vd大的mos產品其本身rdson也會相應較大，熱損耗會太高。
3樓：皓月遐空
響應時間變長，會影響磁飽和
如何選擇開關電源上的mos管
4樓：
1、漏極-源極耐壓vdss，一般vdss值大於mos管的d極最大尖峰10%以上為安全值，d極最大尖峰電壓指的是在ac264v輸入時測試。
2、漏極連續工作電流id，例如常溫下7n60和10n60的id值分別為7a和10a，一般單電壓電源選擇2a/10w比較安全；
3、漏極-源極阻抗rds，阻抗越小溫升越低，漏極電流越大，一般7n60的阻抗為1ω，10n60的阻抗為0.7ω。
4、工作頻率即開關時間td，一般mos管的開關時間70 ns（納秒）左右。
這幾個條件滿足了，基本沒問題。
開關電源中，mos管吸收電路處電容和電阻怎麼選擇？
5樓：
電容越大、電阻越小吸收越好、尖峰越小，同時也會引起效率下降。峰峰值和過電壓的尖峰不是一回事。
開關電源mos漏極加電阻作用
6樓：匿名使用者
在開關電源中，通常的設計會在mos管的漏極或者igbt的c如你所說的加電阻並二極體（應該還要串一電容）至電源的正極。此電路是緩衝電路，吸收電路尖峰，避免開關過程中產生的高壓尖峰擊穿開關管導致損壞。在不同的開關電源中的接法也略有不同，如單端反激式的就如你所說是從漏極接到電源正，而在全橋移相電路里上半橋本身就是接電源正極的，所以上半橋是電源正極加電阻反串二極體接到橋點即上管的源極，而下半橋是漏極加反向二極體串電阻接至電源的負極，同時還有電容連線。
同時利用電容的能量來達到導通瞬間和判斷瞬間能量的釋放和吸收，減少對開關管的衝擊。
7樓：匿名使用者
屬於緩衝吸收電路，用於吸收開關電源關時產生的高壓尖峰，降低vds，保護開關晶片不被擊穿。通常設計為rcd方式，電容與電阻並聯然後串聯一個二極體。
8樓：匿名使用者
具體電路具體分析，一般漏極在電阻是為了取得一個電壓訊號反饋控制mos管的導通狀態 來達到調節電壓的作用
9樓：匿名使用者
你確定是漏極接的電阻嗎？移相全橋的四個管子都加了？我不相信有人做zvs會用這種接法，上個圖看看。
10樓：甄倩璩斯年
電流取樣的作用。通過u＝ir可得知，當電流值升高時，因電阻值不變，所以相應的電阻兩端的電壓也就會升高，升高的幅度大小會通過一個電阻，一般的為1千歐左右反饋回控制電路，比如是晶片的c/s腳，在低於或高於晶片某個設定值，通過變化範圍來與另外的取樣訊號一同做調控佔空比或mos管開關頻率,以達到整個電源系統安全和正常執行。所以，一般的電源中電阻值的變化會引起整個電源系統引數值的變化。
如何選擇開關電源上的MOS管,開關電源如何選擇合適的MOS管，MOS管主要看那些引數，Rds,Qg,Vds
1 漏極 源極耐壓vdss，一般vdss值大於mos管的d極最大尖峰10 以上為安全值，d極最大尖峰電壓指的是在ac264v輸入時測試。2 漏極連續工作電流id，例如常溫下7n60和10n60的id值分別為7a和10a，一般單電壓電源選擇2a 10w比較安全 3 漏極 源極阻抗rds，阻抗越小溫升越...
開關電源中，MOS管吸收電路處電容和電阻怎麼選擇
電容越大 電阻越小吸收越好 尖峰越小，同時也會引起效率下降。峰峰值和過電壓的尖峰不是一回事。開關電源中，mos管吸收電路處電容和電阻怎麼選擇？電容越大 電阻越小吸收越好 尖峰越小，同時也會引起效率下降。峰峰值和過電壓的尖峰不是一回事。開關電源 mos管圖騰驅動，上面p溝道的管子旁邊的電容，二極體和電...
開關電源中開關管是不是用的場效電晶體（主迴路的），為什麼不用三極體
1，三極體頻率做不高 現在的開關電源頻率普遍50k以上 2，三極體導通損耗要大於mos管。其他的我也不知道了。mos是電壓驅動，導通壓降低，頻率高，損耗比三極體小。三極體是電流控制器件，場效電晶體是電壓控制器件，三極體有消耗，大多數用於訊號放大電路，場效電晶體驅動無消耗 普通晶體三極體和場效電晶體是...