1樓：龍君蓮
這個··需要看功率的哦，微控制器驅動這些還是很難得，尤其是52自身驅動能力就不是很強啊，不過找一個大功率管應該行的，如果沒有記錯的話9012或者9013就可以的
2樓：匿名使用者
這需要 你的 繼電器 觸點控制 圖畫全了，
不同的 電路 控制方法 不同。
求一個微控制器控制mos管的電路圖
3樓：天晴電子玩家
電路原理圖：
如果驅動的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場合），最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等~~ 此時既要隔離傳送控制訊號（例如pwm訊號），也要給驅動級（mos管的推動電路）傳送電能。
常用的訊號傳送有pc923 pc929 6n137 tl521等 至於電能的傳送可以用dc-dc模組。如果是做產品的話建議自己搞一個建議的dc-dc，這樣可以降低成本。
4樓：zzx梓
微控制器驅動mos管電路主要根據mos管要驅動什麼東西， 要只是一個繼電器之類的小負載的話直接用51的引腳驅動就可以，要注意電感類負載要加保護二極體和吸收緩衝，最好用n溝道的mos。
如果驅動的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場合），最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等。此時既要隔離傳送控制訊號（例如pwm訊號），也要給驅動級（mos管的推動電路）傳送電能。
常用的訊號傳送有pc923 pc929 6n137 tl521等 至於電能的傳送可以用dc-dc模組。如果是做產品的話建議自己搞一個建議的dc-dc，這樣可以降低成本。然後mos管有一種簡單的驅動方式:
2sc1815+2sa1015，npn與pnp一個用於mos開啟驅動，一個用於mos快速關斷。
擴充套件資料：
mos管主要引數
開啟電壓vt
開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極s和漏極d之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；
標準的n溝道mos管，vt約為3～6v；·通過工藝上的改進，可以使mos管的vt值降到2～3v。
2. 直流輸入電阻rgs
即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
這一特性有時以流過柵極的柵流表示
mos管的rgs可以很容易地超過1010ω。
3. 漏源擊穿電壓bvds
在vgs=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使id開始劇增時的vds稱為漏源擊穿電壓bvds
有些mos管中，其溝道長度較短，不斷增加vds會使漏區的耗盡層一直擴充套件到源區，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通後，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產生大的id
4. 柵源擊穿電壓bvgs
在增加柵源電壓過程中，使柵極電流ig由零開始劇增時的vgs，稱為柵源擊穿電壓bvgs。
5. 低頻跨導gm
在vds為某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變數和引起這個變化的柵源電壓微變數之比稱為跨導
gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力，是表徵mos管放大能力的一個重要引數
一般在十分之幾至幾ma/v的範圍內
6. 導通電阻ron
導通電阻ron說明了vds對id的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數
在飽和區，id幾乎不隨vds改變，ron的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
由於在數位電路中 ，mos管導通時經常工作在vds=0的狀態下，所以這時的導通電阻ron可用原點的ron來近似
對一般的mos管而言，ron的數值在幾百歐以內
7. 極間電容
三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容cgs 、柵漏電容cgd和漏源電容cds
cgs和cgd約為1～**f，cds約在0.1～1pf之間
8. 低頻噪聲係數nf
噪聲是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的。·由於它的存在，就使一個放大器即便在沒有訊號輸人時，在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化
噪聲效能的大小通常用噪聲係數nf來表示，它的單位為分貝（db）。這個數值越小，代表管子所產生的噪聲越小
低頻噪聲係數是在低頻範圍內測出的噪聲係數
場效電晶體的噪聲係數約為幾個分貝，它比雙極性三極體的要小
5樓：love肖工
直接pwm輸出口接一個
小電阻到mos管的g極，然後gs間接一個10k的電阻，常用接法。然後d接vcc。gs間接一個電阻有兩個作用，一是mos關斷的時候，防止mos誤導通。
還有沒有上電的時候能防止一定的靜電損壞；二是mos關斷時，提供一個通道給g極放電，加速關斷。
6樓：匿名使用者
protel給你畫
可以嗎
用微控制器控制大電流的通斷，用繼電器好還是mos管好？
7樓：不曾夨來過
mos管好
因為如果不是用於直接調頻等特殊應用，常
用電機還是以繼電器為主，常用電機採用中間繼電器和接觸器控制，使用繼電器與上述內容相符，為操作者所熟悉；繼電器具有隔離作用，大電壓與大電流不會產生串擾。從學習的角度上應該會使用mos管，因為它是今後發展的主流。事實上使用mos管的電路並不簡單。
8樓：安裝機電
如果不是用於直接調頻等特殊應用，常用電機還是以繼電器為主，常用電機採用中間繼電器和接觸器控制，使用繼電器與上述內容相符，為操作者所熟悉；繼電器具有隔離作用，大電壓與大電流不會產生串擾。從學習的角度上應該會使用mos管，因為它是今後發展的主流。事實上使用mos管的電路並不簡單。
9樓：匿名使用者
感覺如果控制5v的大電流，則必用繼電器，因為用5v控制mos管完全開關，好像不好弄，如果控制12v以上電源的大電流，則mos管好弄些。
10樓：匿名使用者
mos管好, 對電源干擾小, 而且耐用, 壽命長
如何把繼電器換成mos管,求原理圖?
11樓：5斷了風箏的線
可以參考上圖，要注意上圖中mosfet所接負載是跟微控制器共地的
下面這個繼電器驅動電路是mos管放大電流還是三極體？
12樓：
從電路看mos管屬於電壓控制器件且處於開關工作狀態，所以無論mos管與三極體都與電流放大無關，這裡mos管承擔繼電器功率驅動，三極體與周邊電路構成了自舉升壓電路，目的估計是為了加速繼電器吸合。
13樓：匿名使用者
是mos管在驅動繼電器，三極體只是構成一個定時電路
14樓：
1. mos的ds都接到了gnd，就算他開關，它又沒存在的理由，沒回路。
2. 很明顯繼電器接入電路，是常工作的狀態，不會被任何元件控制。
3. 是個錯誤的電路
15樓：烽火·戰國一號
先讓mcu輸出0，關閉mos，這時構成一個8v到電容到電阻的充電迴路。
電容正極電壓為內8v左右。負極為0v。
此時mcu輸出一個容1，mos導通，三極體基極的電，三極體導通，拉高電容負極電壓，則同時拉高電容正極電壓。若估計三極體飽和導通，壓降0.7v，則電容正極為15v左右。
於是繼電器得電，電壓大小為12v到16v，主要取決於三極體飽和程度。
這個有點類似於自舉升壓。
我估計你這個繼電器動作電壓不是8v，因而這個驅動電路並不是放大電流而是放大電壓的。
16樓：情商遞鶴呢朝
三極復管：最熟悉，不過管耗很大，制效率不高bai，且速度慢。
mos管：理論上du很zhi
容易控制，而且速度dao快，實際控制的話並不容易，需要專用驅動晶片，而且關閉比開啟要難得多，經常會出現關不斷的情況（特別是對於新手）。
繼電器：在6a這種場合，你可以考慮固態繼電器，控制起來非常方便，開關幾十萬次問題不大。不過你要是頻繁開啟（比如每秒鐘要開關幾十次），並不合適。
17樓：匿名使用者
版還是有些疑問。歡迎溝權通
用了個mos管驅動繼電器來控制電機！微控制器上電後，電機總是衝一下！不知道什麼原因？
18樓：匿名使用者
這個問題是由於微控制器復位狀態的電平是不收程式控制的，這個電平卻好使得mosfet導通，進而導致繼電器閉合。關於這個問題有如下幾個方法可以解決：
1、更換mosfet，如n管換成p管，這樣復位電平就不會開啟mosfet了，程式中把開啟mosfet的電平改一下就行。不過這個方案需要對電路進行比較大的改動。
2、mcu輸出進一個非門然後再輸出，然後程式把開啟mosfet的電平改一下，這個方案比較簡單
3、mcu的輸出訊號後面加一個如74lv244之類的三態緩衝器。這樣輸出訊號同時受en與控制訊號決定。如果你的mosfet控制訊號是高電平有效，那麼在復位狀態下，控制訊號與en管腳都是高電平，此時由於en是低電平有效，所以你的控制訊號不會輸出給mosfet
ps:另外我有個疑問，你的復位時間有多長啊？一般這個時間會很十分短，這麼短的時間可能會開啟mosfet但是一般不足以閉合繼電器。
所以如果你可以修改一下上電覆位時間，其實什麼都不用修改就可以解決這個問題。
19樓：匿名使用者
微控制器上電有一段時間的輸出口電平，是預設狀態哈。
20樓：匿名使用者
應該是微控制器先保護了一下（短路保護也有可能是過載保護）再工作。
微控制器io用什麼mos管可以驅動24v繼電器 10
21樓：0427付強
用三極體多方便，非要用mos也行。
繼電器的電流應該不大，耐壓24v以上、電流超過1a的基本都可以用。我沒用過電流這麼小的mos，不瞭解具體型號。
22樓：匿名使用者
首先看mos管耐壓，再看驅動開通電壓
23樓：匿名使用者
8050都夠了，要不就是 d882用不著場管
24樓：匿名使用者
一片2003解決，便宜穩定
能否用mos管或者三極體當繼電器，求一個簡單電路
25樓：夢丶幻丶滅
你的意思是要做單控開關還是雙控開關？我給你兩個簡單的開關電路吧。
26樓：斜陽紫煙
當然可以。只是三極體mos管都只適用於直流。電路需要由具體的供電方式來決業
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