霍爾元件的靈敏度怎麼測量,如何測定霍爾靈敏度它和哪些因素有關為提高霍爾原件的靈敏度你將採用什麼方法

1樓:鄒賢果陶

由uh=khbis,得kh=uh/bis,可加一定值的b,作uh—is特性曲線,得斜率uh/is乘以1/b即可的霍爾元件靈敏度kh。在這上面公式字元不聽使喚,寫的時候注意下標。

2樓:happy向日葵

查pdf,然後找到它的額定磁場,如500gs,那就給它加500gs磁場,給1腳和3腳加恆定電壓或電流,測量2腳和4腳輸出的差分電壓就行了

霍爾效應實驗報告如何用實驗測量霍爾元件的靈敏度?設計實驗 5

3樓:匿名使用者

求出u:i為斜率k1,k1=靈敏度乘以b。用斜率除以磁通量,b=cim

如何測定霍爾靈敏度?它和哪些因素有關?為提高霍爾原件的靈敏度你將採用什麼方法?

4樓:假面

霍爾636f707962616964757a686964616f31333431346339元件(由銻化銦製成)的靈敏度比較好測量,相同的電壓和磁場條件下,輸出電壓高的則靈敏度高.

霍爾積體電路(ic)的靈敏度的測量要分兩種:

(1) 對於開關型,測量可以使hall ic開啟(一般輸出由高變低)的磁場強度,使hall開啟的磁場越弱則靈敏度越高。

(2)對於線性hall,則需要給晶片一個磁場變數(比如磁場變化100gs)看輸出電壓變化值的大小,電壓變化的則靈敏度高。

對於怎樣提高靈敏度,在hall材料已經確定的情況下只能靠外加放大器等電子電路來變相的實現。

5樓:

霍爾的bai靈敏度指單位電壓或者du單位電流在單位磁場下zhi(比如dao1t或者1mt)產生的回霍爾電壓,這個霍爾電壓一般答很小(最多mv級別)。霍爾靈敏度主要與製成霍爾元件(或者晶片)的材料有關,一般來講,材料的遷移率越高,則靈敏度越高。另外,霍爾靈敏度也與所加的電壓或者電流偏置有關。

霍爾元件(一般由銻化銦製成)的靈敏度比較好測量,相同的電壓和磁場條件下,輸出電壓高的則靈敏度高。

霍爾積體電路(ic)的靈敏度的測量要分兩種:(1) 對於開關型,測量可以使hall ic開啟(一般輸出由高變低)的磁場強度,使hall開啟的磁場越弱則靈敏度越高。(2)對於線性hall,則需要給晶片一個磁場變數(比如磁場變化100gs)看輸出電壓變化值的大小,電壓變化的則靈敏度高。

對於怎樣提高靈敏度,在hall材料已經確定的情況下只能靠外加放大器等電子電路來變相的實現。

霍爾元件靈敏度是多少

6樓:白羊她的貓

一般霍爾元bai件靈敏度是

du0.1~0.5mv/(ma.g)之間。

早在2023年人們zhi就在金屬中發現

dao了霍爾效應,2023年就有版人用鉍製成了霍爾元件,用以權測量磁場。但由於這種效應在金屬中十分微弱,當時並沒有引起什麼重視。

2023年後,由於半導體技術的迅速發展,人們找到了霍爾效應較為顯著的半導體材料——鍺(ge),接著,在2023年前後,人們又對化合物半導體——銻化銦(insb)、砷化銦(inas)進行了大量的研究,並製成了較為滿意的元件。

這時霍爾效應以及它所具有的廣泛的應用才受到了人們普遍的重視。

7樓:anyway中國

從原來理看:

vh=khib

kh稱為靈敏

自度。單位為mv/(ma.g)

實際的bai

霍爾元件,通常分為開du

關型或線性型兩zhi

種,開關型一般不標dao稱靈敏度。線性型通常電流i由內部電路決定。因此,靈敏度的定義發生了變化。

vh=khb。單位變為mv/g

一般在1~5mv/g,假設供電電流為10ma,也可轉變為:

kh=0.1~0.5mv/(ma.g)