1樓：匿名使用者
分開說，30分鐘定時bai開du關，這個可以通過寫程zhi序實現，程dao序定時控制一個io，比如說回p1.0，30分鐘p1.0輸出一答個高電平，30分鐘後再變為低電平。
再說p1.0的控制訊號有了，需要通過驅動電路控制mos管，來控制外部裝置，這個驅動電路和mos管需要根據你的負載來選擇，如果負載電流大，電壓高，相應的需要選擇一個電壓高、功率大的mos管，反之，則僅需要一個小功率的mos管。mos的引數不一樣，**、體積相差很多。
mos管還分p溝道和n溝道的。確定了mos管，再根據mos管的要求設計一個驅動電路，這個具體要看mos管的型號來定。
最後，如果是30分鐘的開關，可以考慮使用繼電器，不一定用mos管。
能直接用 51微控制器 的引腳 驅動mos管的 g極的嗎?想做個控制開關,最好回答有原理圖。一定採納
2樓：匿名使用者
不行。51的電壓不合適，高壓太低，mos管開啟狀態不好，沒有徹底導通（mos管導通比較好，最好在10v以上），低壓太高，mos管的關閉比開啟困難很多，最好是負電壓去關，否則不容易關死。
要開關mos管，g前面加一個電壓比較器更好。
3樓：江湖一小生
不能，最近在做這個，得加一個驅動電路，51輸出引腳電壓太低，我用的irf540，用ir2110驅動，還的把ir2110的輸入引腳電壓調到8至10付。
4樓：匿名使用者
如果控制電流不大（< 2a~3a ) 可以用左圖, r5+led1 可以換成需要控制的 負載,
電壓根據負載電壓。
如果控制電流比較大（> 3a ) 可以用右圖, r5+led1+led2+led3 可以換成需要控制的 負載,
電壓根據負載電壓。注意mos管的 g極 電壓 不可以 高於 20 v.
如何用場效電晶體設計一個開關電路，通過微控制器能夠控制負載的電源5v通斷？ 5
5樓：匿名使用者
實用電路如下圖（用n溝道的增強型mos管電路形式最為簡潔，選一款通態電阻小的mos管，耐壓不必高，額定電流夠了就行）——
6樓：陳泳菁
可以看電磁繼電器相關資料
7樓：小齊歲月
哦，很簡單的，pwm波形由微控制器產生，加到mosfet的門極。高電平則開，則負載電源5v通，低則閉合電源5v斷。整個迴路串聯就可以。
想用一個mos管做開關，微控制器的i/o口控制一個5v/3w的led燈，用p溝道好還是n溝道的好。應用電路是怎麼樣？
8樓：匿名使用者
電路圖見下圖：
原理分析見《帶軟開啟功能的mos管電源開關電路》。
9樓：總工程師助理
mos管的柵極電壓很高,微控制器的輸出無法使它導通,應加高電壓用一個三極體與它複合後使用,但這麼做也太麻煩太不值了,還不如直接只用一個三極體來做控制開關了?3w的led燈電流在600-700ma,電流較大,用單個三極體會加重微控制器負擔,應使用二個npn(一小一大)三極體複合成達林頓形式才行,或直接用成品npn達林頓管也完全可以,比用mos管簡單多了,一般微控制器的1輸出是3.3v或以上,只要在基極串一個1-2.
2k的電阻,集電極與5v+電源之間就可以接led燈了.
10樓：匿名使用者
微控制器是幾伏供電？如果是5v，n溝道和p溝道都行，3.3v供電就用n溝道好。
求一個微控制器控制mos管的電路圖
11樓：天晴電子玩家
電路原理圖：
如果驅動的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場合），最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等~~ 此時既要隔離傳送控制訊號（例如pwm訊號），也要給驅動級（mos管的推動電路）傳送電能。
常用的訊號傳送有pc923 pc929 6n137 tl521等 至於電能的傳送可以用dc-dc模組。如果是做產品的話建議自己搞一個建議的dc-dc，這樣可以降低成本。
12樓：zzx梓
微控制器驅動mos管電路主要根據mos管要驅動什麼東西， 要只是一個繼電器之類的小負載的話直接用51的引腳驅動就可以，要注意電感類負載要加保護二極體和吸收緩衝，最好用n溝道的mos。
如果驅動的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場合），最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等。此時既要隔離傳送控制訊號（例如pwm訊號），也要給驅動級（mos管的推動電路）傳送電能。
常用的訊號傳送有pc923 pc929 6n137 tl521等 至於電能的傳送可以用dc-dc模組。如果是做產品的話建議自己搞一個建議的dc-dc，這樣可以降低成本。然後mos管有一種簡單的驅動方式:
2sc1815+2sa1015，npn與pnp一個用於mos開啟驅動，一個用於mos快速關斷。
擴充套件資料：
mos管主要引數
開啟電壓vt
開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極s和漏極d之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；
標準的n溝道mos管，vt約為3～6v；·通過工藝上的改進，可以使mos管的vt值降到2～3v。
2. 直流輸入電阻rgs
即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
這一特性有時以流過柵極的柵流表示
mos管的rgs可以很容易地超過1010ω。
3. 漏源擊穿電壓bvds
在vgs=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使id開始劇增時的vds稱為漏源擊穿電壓bvds
有些mos管中，其溝道長度較短，不斷增加vds會使漏區的耗盡層一直擴充套件到源區，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通後，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產生大的id
4. 柵源擊穿電壓bvgs
在增加柵源電壓過程中，使柵極電流ig由零開始劇增時的vgs，稱為柵源擊穿電壓bvgs。
5. 低頻跨導gm
在vds為某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變數和引起這個變化的柵源電壓微變數之比稱為跨導
gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力，是表徵mos管放大能力的一個重要引數
一般在十分之幾至幾ma/v的範圍內
6. 導通電阻ron
導通電阻ron說明了vds對id的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數
在飽和區，id幾乎不隨vds改變，ron的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
由於在數位電路中 ，mos管導通時經常工作在vds=0的狀態下，所以這時的導通電阻ron可用原點的ron來近似
對一般的mos管而言，ron的數值在幾百歐以內
7. 極間電容
三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容cgs 、柵漏電容cgd和漏源電容cds
cgs和cgd約為1～**f，cds約在0.1～1pf之間
8. 低頻噪聲係數nf
噪聲是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的。·由於它的存在，就使一個放大器即便在沒有訊號輸人時，在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化
噪聲效能的大小通常用噪聲係數nf來表示，它的單位為分貝（db）。這個數值越小，代表管子所產生的噪聲越小
低頻噪聲係數是在低頻範圍內測出的噪聲係數
場效電晶體的噪聲係數約為幾個分貝，它比雙極性三極體的要小
13樓：love肖工
直接pwm輸出口接一個
小電阻到mos管的g極，然後gs間接一個10k的電阻，常用接法。然後d接vcc。gs間接一個電阻有兩個作用，一是mos關斷的時候，防止mos誤導通。
還有沒有上電的時候能防止一定的靜電損壞；二是mos關斷時，提供一個通道給g極放電，加速關斷。
14樓：匿名使用者
protel給你畫
可以嗎
場效電晶體如何做開關使用，硬體如何連，微控制器如何控制？
15樓：匿名使用者
1、串聯電阻不需要計算，取一個大點的數值就可以，因為場效電晶體輸入阻抗很高。
2、也許3.3v電壓太低，不能使場效電晶體開啟。
解決方案：
（1）在p1.0到電源之間接一個5k的上拉電阻，看看行不行。
（2）如果不行，說明3.3v電壓太低，不能使場效電晶體開啟。那麼最好改用三極體；如果堅持使用場效電晶體，需要中間增加一級三極體電路。
用1只9014，集電極接柵極，柵極接電阻r35（改成5-10k），再接電源；9014發射極接地；9014基極接p1.0，p1.0到電源之間接一個10k的上拉電阻。
此時低電平有效，不再是原來設計的高電平有效。
3、記得好像小功率管可以互換，不知道大功率管可以不。
16樓：匿名使用者
如果只是要控制12v繼電器開合,是不是太浪費了呢,一個irf640要3塊錢左右,用一個三極體不是很好吧,如果要驅動irf640還得用到光耦,成本太大,如果要用的話圖上的就可以,光耦那裡是4路的,你選一路就行了 ,p1.0給出一個低電平到pc817的2腳《圖可看出》即可
17樓：渢
你去查查irf640的驅動方法吧。
這兩顆引數類似，irf640n是irf640的改進型，導通電阻要小一些
這顆mos驅動vgs電壓至少超過10v以上拿3.3v電壓肯定控制不了的。
加一級三極體或者光偶把控制電平提升到12v試試
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