1樓：北京理工大學出版社
二極體理想模型的伏安特性曲線為過原點的一條折線
怎樣分析二極體的伏安特性曲線
2樓：匿名使用者
二極體的效能可用其伏安特性來描述。在二極體兩端加電壓u，然後測出流過二極體的電流i，電壓與電流之間的關係i=f(u)即是二極體的伏安特性曲線，如圖所示。
二極體伏安特性曲線如圖
二極體的伏安特性表示式可以表示為式
id=is*(e^ud/ut-1)
其中id為流過二極體兩端的電流，ud為二極體兩端的加壓，ut在常溫下取26mv。is為反向飽和電流。
1、正向特性
特性曲線1的右半部分稱為正向特性，由圖可見，當加二極體上的正向電壓較小時，正向電流小，幾乎等於零。只有當二極體兩端電壓超過某一數值uon時，正向電流才明顯增大。將uon稱為死區電壓。
死區電壓與二極體的材料有關。一般矽二極體的死區電壓為0.5v左右，鍺二極體的死區電壓為0.
1v左右。
當正向電壓超過死區電壓後，隨著電壓的升高，正向電流將迅速增大，電流與電壓的關係基本上是一條指數曲線。由正向特性曲線可見，流過二極體的電流有較大的變化，二極體兩端的電壓卻基本保持不變。通過在近似分析計算中，將這個電壓稱為開啟電壓。
開啟電壓與二極體的材料有關。一般矽二極體的死區電壓為0.7v左右，鍺二極體的死區電壓為0.
2v左右。
2、反向特性
特性曲線1的左半部分稱為反向特性，由圖可見，當二極體加反向電壓，反向電流很小，而且反向電流不再隨著反向電壓而增大，即達到了飽和，這個電流稱為反向飽和電流，用符號is表示。
如果反向電壓繼續升高，當超過ubr以後，反向電流急劇增大，這種現象稱為擊穿，ubr稱為反向擊穿電壓。
二極體的伏安特性曲線有何特點
3樓：匿名使用者
① 二極體具有單向導電性； ② 二極體的伏安特性具有非線性； ③ 二極體的伏安特性與溫度有關。
二極體伏安特性曲線
4樓：匿名使用者
用低頻是便於測量資料。測量二極體特性曲線用三角波是因為波形是線性變化的，也是便於測量。如果用正弦波的話，就是非線性變化了。而用方波根本就測試不了二極體的伏安特性。
什麼是二極體的伏安特性曲線？
5樓：匿名使用者
通過二極體的電壓降為橫座標，通過二極體的電流為縱座標，經過繪製後出來的影象就是所求的二極體的伏安特性曲線圖。
6樓：匿名使用者
二極體兩端的電壓和通過它的電流之間的關係曲線。謝謝。
二極體的伏安特性曲線
7樓：牛角尖
因為縱座標是對數座標，所以只要直線就是指數變化，圖中可見10a電流以下確實符合指數變化特點。
由於二極體並不只是一個pn結，還包含半導體材料的歐姆電阻（半導體的電阻率肯定要比導體大），因此實際電流曲線就包含了這個串聯電阻的影響，電流越大，這個電阻上的電壓越大，對曲線影響就越大，偏離指數特性就越大，按照歐姆定律，最後電壓電流應該成為線性關係而不是指數關係了。
二極體伏安特性曲線問題（鄙視貼上狂人）
8樓：鈐山鎮
二極體的伏安特性是指流過二極體的電流id與加於二極體兩端的電壓ud之間的關係或曲線。用逐點測量的方法測繪出來或用電晶體圖示儀顯示出來的u～i曲線，稱二極體的伏安特性曲線。下圖 是二極體的伏安特性曲線示意圖，依此為例說明其特性。
一、正向特性
由圖可以看出，當所加的正向電壓為零時，電流為零；當正向電壓較小時，由於外電場遠不足以克服pn結內電場對多數載流子擴散運動所造成的阻力，故正向電流很小（幾乎為零），二極體呈現出較大的電阻。這段曲線稱為死區。
當正向電壓升高到一定值uγ（uth ）以後內電場被顯著減弱，正向電流才有明顯增加。uγ 被稱為門限電壓或閥電壓。uγ視二極體材料和溫度的不同而不同，常溫下，矽管一般為0.
5v左右，鍺管為0.1v左右。在實際應用中，常把正向特性較直部分延長交於橫軸的一點，定為門限電壓uγ的值，如圖中虛線與u軸的交點。
當正向電壓大於uγ以後，正向電流隨正向電壓幾乎線性增長。把正向電流隨正向電壓線性增長時所對應的正向電壓，稱為二極體的導通電壓，用uf來表示。通常，矽管的導通電壓約為0.
6～0.8v （一般取為0.7v），鍺管的導通電壓約為0.
1～0.3v （一般取為0.2v）。
二、反向特性
當二極體兩端外加反向電壓時，pn結內電場進一步增強，使擴散更難進行。這時只有少數載流子在反向電壓作用下的漂移運動形成微弱的反向電流ir。反向電流很小，且幾乎不隨反向電壓的增大而增大（在一定的範圍內），如圖z0111中所示。
但反向電流是溫度的函式，將隨溫度的變化而變化。常溫下，小功率矽管的反向電流在na數量級，鍺管的反向電流在μa數量級。
三、反向擊穿特性
當反向電壓增大到一定數值ubr時，反向電流劇增，這種現象稱為二極體的擊穿，ubr（或用vb表示）稱為擊穿電壓，ubr視不同二極體而定，普通二極體一般在幾十伏以上且矽管較鍺管為高。
擊穿特性的特點是，雖然反向電流劇增，但二極體的端電壓卻變化很小，這一特點成為製作穩壓二極體的依據。
9樓：南風二三
電流公式是j=js[exp(u/ut)-1],ut是熱電壓，就是室溫下等於26mv的那個東西，這個，公示我打的不是很標準，這裡沒有公示編輯器額，你就湊合看下吧。沒有為啥吧，公示就是這樣，曲線圖就是這樣了唄……
其中那個js是我們一個定義的引數，叫它理想反向飽和電流。js=[e*dp*p0/lp + e*dn*n0/ln],如果學過半導體物理的話，就能看出來這個js是和材料有關的。
肖特基二極體比pn結二極體（就是你說的si管）正向壓降（就是有效開啟電壓）小，是因為肖特基二極體的理想反向飽和電流值比pn結二極體的大幾個數量級。
你說的這個補充問題，我沒太理解，肖特基二極體就是指金屬和n型半導體接觸形成的， 因為肖特基二極體的電流主要取決於多數載流子電子的流動，如果你讓金屬和p型半導體接觸，它怎麼可能導電啊……
二極體的伏安特性曲線怎樣描述,怎樣分析二極體的伏安特性曲線
上面回答的很全面 簡單點 就是 正向導通 反向截止 因為二極體有整流的作用麼 怎樣分析二極體的伏安特性曲線 二極體的效能可用其伏安特性來描述。在二極體兩端加電壓u,然後測出流過二極體的電流i,電壓與電流之間的關係i f u 即是二極體的伏安特性曲線,如圖所示。二極體伏安特性曲線如圖 二極體的伏安特性...
什麼叫半導二極體的伏安特性曲線半導體二極體伏安特性曲線
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研究二極體伏安特性曲線時,正確的接線方法是（內接還是外接
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